处理中...

首页  >  产品百科  >  K10A60-VB

K10A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K10A60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K10A60-VB

K10A60-VB概述

    # K10A60-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K10A60-VB 是一款适用于多种高功率应用的N沟道650V功率MOSFET。这种器件设计主要用于高效率的电源转换,例如服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)和功率因数校正(PFC)系统。此外,它还适用于照明和工业控制应用中的高电流驱动。
    主要功能
    - 低通态电阻 (RDS(on))
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 低开关损耗和导通损耗
    - 超低栅极电荷 (Qg)
    - 高雪崩能量等级 (UIS)
    应用领域
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯和荧光灯)
    - 工业设备

    技术参数


    以下是 K10A60-VB 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3 | - | 5 | V |
    | 通态电阻 | RDS(on) | - | - | 0.02 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 600 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 43 | - | nC |
    | 门极电荷 | Qgs | - | 5 | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | 22 | - | nC |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 12 | - | A |
    | 最大雪崩能量 | EAS | - | - | 30 | mJ |
    | 极限功率耗散 | PD | - | - | 150 | W |

    产品特点和优势


    K10A60-VB 的主要优势在于其低通态电阻和低栅极电荷,这有助于减少开关和导通损耗,从而实现更高的能效。其低输入电容特性进一步提高了其在高频开关电路中的性能。这款 MOSFET 还具有卓越的雪崩能量等级,确保了在高电流和高电压条件下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器和电信电源供应中,用于高效电压调节和电流控制。
    - 在照明系统中,特别是在高强度放电灯和荧光灯的应用中,提供稳定的电源转换。
    - 在工业设备中,作为电机控制和驱动应用的高可靠功率开关。
    使用建议
    - 对于高电流应用,建议使用较大的散热片以确保器件的安全运行。
    - 在高频应用中,应注意 PCB 设计,以减小寄生电感的影响。
    - 在接线时,尽量保持短而直接,避免不必要的寄生效应。

    兼容性和支持


    K10A60-VB 支持广泛的应用,可以与其他标准的电子元器件无缝集成。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务中心,包括电话热线和电子邮件支持。这些资源可以帮助用户解决常见的技术问题和操作难题。

    常见问题与解决方案


    问题1:过热导致器件失效
    解决方案:
    - 确保良好的散热设计,可以使用更大尺寸的散热片。
    - 减少电流负载,避免长时间过载运行。
    问题2:栅极电荷过高
    解决方案:
    - 选择合适的栅极电阻 (Rg) 来优化开关速度。
    - 调整驱动电路以降低栅极充电时间。
    问题3:开关频率不稳定
    解决方案:
    - 确认输入电源的稳定性。
    - 检查电路板布局,确保没有过多的寄生电感。

    总结和推荐


    K10A60-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,适用于多种高功率应用。它的低通态电阻和低栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。尽管该产品存在一定的局限性,但其在高效率电源转换和工业控制方面的优势显著。我们强烈推荐 K10A60-VB 给需要高性能功率器件的用户。
    服务热线:400-655-8788
    请注意,由于材料不断改进和更新,具体产品规格和数据可能随时发生变化。务必查阅最新的技术手册以获取最新信息。

K10A60-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K10A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K10A60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K10A60-VB K10A60-VB数据手册

K10A60-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.8487
100+ ¥ 3.5636
500+ ¥ 3.421
1000+ ¥ 3.2785
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.48
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504