处理中...

首页  >  产品百科  >  FQD7N30-VB

FQD7N30-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: FQD7N30-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD7N30-VB

FQD7N30-VB概述

    FQD7N30 N-Channel Power MOSFET

    产品简介


    FQD7N30是一款适用于多种高效率电源应用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要功能是在各种电压条件下提供低导通电阻和快速开关性能。它被广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)等领域。此外,这款MOSFET也适用于工业控制系统和其他需要高效能转换的应用场合。

    技术参数


    主要技术规格
    - 最大漏源击穿电压 (VDS):750 V
    - 最大栅源击穿电压 (VGS):± 30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):7 A (TJ = 150 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.7 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg):13 nC
    - 输入电容 (Ciss):147 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    工作环境及绝对最大额定值
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C
    - 最大脉冲斜率 (dV/dt):30 V/ns (TJ = 125 °C)
    - 热阻抗 (RthJA):63 °C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):87 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):20 W

    产品特点和优势


    FQD7N30 N-Channel Power MOSFET具有以下显著特点和优势:
    1. 低导通电阻和总栅极电荷:FOM (Ron x Qg)低,有效降低了开关损耗。
    2. 低输入电容:Ciss低,减少了驱动损耗,适合高频应用。
    3. 减少开关和传导损耗:通过优化设计实现更高的效率。
    4. 超低栅极电荷:Qg低,降低了栅极驱动所需的能量,提升效率。
    5. 雪崩能量等级:UIS高,增强了可靠性,适应更广泛的使用条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:适用于高密度服务器和电信设备中的直流-直流转换器。
    - 开关模式电源:广泛应用于各种AC-DC转换器,提供高效的能量转换。
    - 荧光灯和高强度放电灯:用于LED驱动器和照明系统的控制。
    使用建议
    1. 散热管理:确保良好的散热措施以避免过热,建议使用大面积散热片或散热器。
    2. 电路布局优化:尽量减少寄生电感,增加接地平面,以减少噪声干扰。
    3. 负载测试:在实际应用前进行充分的负载测试,确保MOSFET能在预期环境中稳定工作。

    兼容性和支持


    FQD7N30 MOSFET采用标准封装,与市场上大多数电路板兼容。公司提供详细的安装指南和技术支持,确保客户能够顺利集成到其设计中。此外,VBsemi提供全面的售后支持,帮助解决可能出现的技术问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,降低开关频率 |
    | 漏极电流不稳定 | 检查外部电路连接,确保驱动电压稳定 |
    | 雪崩击穿电压不够 | 选择更高电压等级的产品 |

    总结和推荐


    综上所述,FQD7N30是一款高度可靠的N沟道功率MOSFET,特别适用于高效率和高性能的应用场合。其低导通电阻、低栅极电荷和优化的输入电容使其成为市场上非常有竞争力的产品。无论是服务器和电信电源还是工业控制系统,FQD7N30都能提供卓越的性能和可靠的表现。强烈推荐在相关应用中采用此产品。

FQD7N30-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD7N30-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD7N30-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD7N30-VB FQD7N30-VB数据手册

FQD7N30-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336