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LSC20N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: LSC20N65F-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LSC20N65F-VB

LSC20N65F-VB概述


    产品简介


    本产品是一款高性能N沟道超结功率MOSFET(N-Channel 650V Super Junction MOSFET),型号为LSC20N65F。该器件广泛应用于电信电源供应系统、高强度放电照明(HID)、荧光灯球形灯、ATX电源供应系统、工业焊接设备、电池充电器及太阳能光伏逆变器等领域。它具备优秀的电气特性和低损耗特性,适合用于开关模式电源(SMPS)和其他高效率应用场合。

    技术参数


    - 最大电压(VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流(ID): 20 A (TC=25°C), 13 A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 60 A
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.19 Ω (VGS=10 V, TC=25°C)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2-4 V
    - 栅源漏极电荷(Qg): 71-106 nC
    - 输入电容(Ciss): 2322 pF
    - 输出电容(Coss): 105 pF
    - 反向转移电容(Crss): -4 pF
    - 雪崩能量(EAS): 367 mJ
    - 最大耗散功率(PD): 208 W
    - 最大结温(TJ): -55 to +150 °C
    - 封装类型: TO-220AB

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗:由于其低输入电容(Ciss)和低反向恢复时间(trr),显著降低了开关过程中的损耗。
    2. 高可靠性:其较高的雪崩能量(EAS)使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。
    3. 快速响应:具备较低的栅电荷(Qg)和反向恢复电荷(Qrr),确保快速的开关操作。
    4. 低导通电阻:导通电阻(RDS(on))为0.19 Ω(VGS=10 V, TC=25°C),保证了极低的导通损耗。
    5. 高稳定性:适用于各种温度条件下的稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电信电源供应系统:适用于服务器和电信电源,提供高效稳定的电力供应。
    2. 工业焊接设备:由于其强大的击穿电压(VDS)和快速的开关特性,适合于焊接电源的使用。
    3. 太阳能光伏逆变器:适用于太阳能光伏系统的逆变器,以实现高效的能量转换。
    使用建议
    - 热管理:由于其较高的最大耗散功率(PD),需要良好的散热设计,确保器件稳定工作。
    - 电路布局:避免使用高寄生电感,增加接地平面,减少寄生效应的影响。
    - 驱动电路:选择适当的栅极电阻(Rg)以确保快速和安全的开关操作。

    兼容性和支持


    该产品适用于大多数标准的电路板设计和现有的电源系统。VBsemi公司提供了全面的技术支持和客户服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。此外,产品还通过了RoHS和无卤素标准认证,符合国际环保要求。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关速度较慢?
    - A: 检查栅极电阻(Rg)是否过低,重新选择合适的Rg值,以提高开关速度。
    2. Q: 散热不良导致过热?
    - A: 确保散热片安装稳固且导热膏涂抹均匀,提高散热效果。
    3. Q: 输出波形不理想?
    - A: 检查电路布局是否合理,降低寄生电感的影响,优化电路设计。

    总结和推荐


    总体来说,LSC20N65F N-Channel 650V Super Junction MOSFET具备出色的电气特性和可靠性,在多种高要求的应用场景下表现出色。它的低损耗、高可靠性和良好的热管理能力使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐给需要高效能、低损耗电子元件的工程师和技术人员。

LSC20N65F-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LSC20N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LSC20N65F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LSC20N65F-VB LSC20N65F-VB数据手册

LSC20N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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