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2SK3432-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: 2SK3432-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3432-VB

2SK3432-VB概述

    2SK3432-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    2SK3432-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-220AB 封装形式。该产品广泛应用于同步整流和电源供应领域,如开关电源、稳压电源等。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效能电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下为2SK3432-VB的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 40 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | -10 | - | +20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 175°C) | ID | - | - | 110 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 270 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 85 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 320 | mJ |
    | 连续源-漏极二极管电流 | IS | - | - | 110 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 312 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | - | 32 | 40 | °C/W |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | - | 0.33 | 0.4 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    2SK3432-VB 具备以下特点和优势:
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,100% Rg 和 UIS 测试,确保高度可靠。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 仅为 6 mΩ。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 150°C 的工作温度范围,适合各种严苛环境。
    - 低热阻:低热阻设计保证了高效的散热性能,提高了系统的稳定性。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令要求,适用于绿色电子设备。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:2SK3432-VB 可用于高频开关电源,提高转换效率并减少发热。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,该 MOSFET 可有效降低驱动损耗,提高系统效率。
    - LED 驱动:适用于 LED 照明系统的驱动电路,实现精准控制和稳定输出。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,注意散热设计以避免过热。
    - 对于电机驱动应用,建议搭配合适的驱动电路,确保 MOSFET 的安全工作。

    5. 兼容性和支持


    2SK3432-VB 与多数标准的 TO-220AB 封装兼容,适用于多种插件式和焊接式安装。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品规格书和技术文档下载,确保客户在使用过程中获得及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET 温度过高 | 加强散热设计,如增加散热片或风扇。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路,确保信号稳定。 |
    | 电源输出波动大 | 检查输入电压和负载情况,确保供电稳定。 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,2SK3432-VB 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻、宽工作温度范围及优秀的热性能使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在需要高效率、高可靠性电力电子应用中使用此产品。

2SK3432-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,7mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 110A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3432-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3432-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3432-VB 2SK3432-VB数据手册

2SK3432-VB封装设计

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