处理中...

首页  >  产品百科  >  F531-VB

F531-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: F531-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F531-VB

F531-VB概述

    F531-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    F531-VB 是一款高性能的N沟道60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET具备出色的动态dv/dt额定值、快速开关能力、易于并联以及简单的驱动要求,使其适用于多种电力转换和控制应用。这类MOSFET广泛应用于电机控制、电源管理、直流-直流转换器和逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):1.0 - 3.0V
    - 门源漏电流(IDSS):25μA(VDS=60V)
    - 开态电阻(RDS(on)):0.072Ω(VGS=10V,ID=10A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):最大640pF
    - 输出电容(Coss):360pF
    - 反向传输电容(Crss):-79pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大25nC
    - 门源电荷(Qgs):5.8nC
    - 门漏电荷(Qgd):11nC
    - 门极栅极电荷波形图:见图13
    - 热阻参数
    - 最大结壳热阻(RthJC):2.5℃/W
    - 结到空气热阻(RthJA):62℃/W
    - 壳到散热片热阻(RthCS):0.50℃/W

    3. 产品特点和优势


    F531-VB MOSFET具有如下特点:
    - 快速开关:具备优异的dv/dt额定值和快速开关能力,能够有效减少开关损耗。
    - 易于并联:门源电压低,使得多个器件并联更容易实现,提高系统可靠性。
    - 简单的驱动需求:无需复杂的驱动电路即可达到理想的驱动效果,减少了系统设计复杂度。
    这些特点使F531-VB在电力转换和控制应用中表现出色,具有很强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册的应用实例,F531-VB MOSFET可广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器及逆变器等场合。为了最大化其性能,在设计时应注意以下几点:
    - 散热管理:确保良好的散热措施以避免过热,特别是在连续运行条件下。
    - 电路布局优化:尽量减小寄生电感,合理设计接地平面,以减少不必要的干扰。

    5. 兼容性和支持


    F531-VB MOSFET可以与多种标准电源转换设备和其他MOSFET器件兼容。制造商提供全面的技术支持和维护,包括在线文档、培训和技术支持热线(400-655-8788),以帮助客户解决任何潜在的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    手册中列出了几个常见的问题及其解决方案,包括但不限于:
    - 过热问题:改善散热机制,如增加散热片或增强气流。
    - 驱动不当:调整驱动电路,确保适当的门极电压和电流水平。
    - 电容匹配不当:重新计算或校正电路中的电容值,确保正确的充放电时间常数。

    7. 总结和推荐


    综上所述,F531-VB MOSFET凭借其优秀的性能指标和简单易用的设计,非常适合用于各种高效率的电力转换应用。鉴于其高可靠性和良好的市场表现,我们强烈推荐此产品用于需要高性能和稳定性的工业级应用场景。

F531-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 25A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F531-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F531-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F531-VB F531-VB数据手册

F531-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
1000+ ¥ 1.4077
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 33.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336