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K2940L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K2940L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2940L-VB

K2940L-VB概述

    K2940L-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2940L-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有高耐压能力(最大电压为60V),能够在高达175°C的工作环境下稳定运行。K2940L-VB 主要应用于电源管理和控制系统等领域,尤其适用于需要高效率、高可靠性的场合。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 封装形式:TO-220AB
    - 最大工作温度:175°C
    - 通道类型:N-Channel
    - 极限电压:60V
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:±20V
    - 持续漏极电流(TJ = 175°C):60A
    - 脉冲漏极电流:200A
    - 漏极-源极雪崩能量:125mJ
    - 电气特性:
    - 静态漏源击穿电压(VDS):60V
    - 门限电压(VGS(th)):1V 至 3V
    - 门体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):1μA(VDS = 60V, VGS = 0V)
    - 正向二极管导通电流(IS):50A
    - 源-漏二极管导通电压(VSD):1V 至 1.5V
    - 门电荷(Qg):4nC 至 7nC
    - 热阻参数:
    - 最大结-壳电阻(RthJC):0.85°C/W 至 1.1°C/W
    - 最大结-环境电阻(RthJA):15°C/W 至 18°C/W(暂态)

    3. 产品特点和优势


    K2940L-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 高温稳定性:能够承受高达175°C的高温,适合严苛的应用环境。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,提供更高的可靠性和更长的使用寿命。
    - 低导通电阻:RDS(on)在不同条件下的值为0.011Ω至0.018Ω,使得K2940L-VB 在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗。
    - 快速开关速度:良好的动态特性,有助于提高电路的效率和响应速度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:K2940L-VB 适用于多种电路,如开关电源、马达驱动、逆变器和直流/直流转换器。例如,在一个30V、50A的电路中,K2940L-VB 可以作为开关元件,确保系统在高压和大电流环境下稳定运行。

    - 使用建议:为了确保最佳性能和寿命,建议使用时遵循制造商推荐的电气特性和工作环境条件。特别是在高功率应用中,要特别注意散热管理,确保器件在安全温度范围内运行。

    5. 兼容性和支持


    K2940L-VB 与大多数标准接口和电路设计兼容。对于客户的支持和服务,VBsemi公司提供了详细的技术文档、在线帮助以及客户服务热线(400-655-8788)。此外,VBsemi还提供一系列配套工具和软件,帮助客户进行设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查电路的散热设计,确保设备运行温度不超过175°C。如果需要,可以考虑使用外部散热器或改进散热路径。
    - 问题2:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接和负载情况,确保供电稳定,必要时可以增加滤波电容。
    - 问题3:开关时间不理想。
    - 解决方案:调整电路中的驱动信号频率和幅度,优化控制逻辑,确保开关频率和占空比在合理范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K2940L-VB N-Channel 60-V MOSFET 是一款性能优异的功率器件,具备高可靠性和出色的电气特性。它非常适合用于需要高效率和稳定性的应用环境中。因此,强烈推荐在涉及高电流、高功率的应用场合中使用该产品。
    联系VBsemi客户服务热线:400-655-8788,获取更多技术支持和帮助。

K2940L-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2940L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2940L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2940L-VB K2940L-VB数据手册

K2940L-VB封装设计

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