处理中...

首页  >  产品百科  >  FDC7N60-VB

FDC7N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: FDC7N60-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDC7N60-VB

FDC7N60-VB概述

    FDC7N60 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDC7N60是一款高性能的N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管),它具有极低的导通电阻和栅极电荷,这使其在多种应用中表现出色。这款MOSFET的主要功能是实现高效转换电能,尤其适用于高要求的应用场景,如服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明设备(包括高强度放电灯和荧光灯)和工业设备。其独特的技术规格使其在复杂且苛刻的工作环境中也能保持稳定的性能表现。

    技术参数


    - 最大电压:VDS(漏源电压)高达650V,满足高压应用需求。
    - 静态特性:
    - 最大栅源阈值电压(VGS(th)):2V 至 4V。
    - 零栅电压下的漏电流(IDSS):≤ 1μA。
    - 最小输出电容(Ciss):100pF。
    - 输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss):特定电压范围内的值。
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V、ID=4A条件下的典型值为0.7Ω。
    - 动态特性:
    - 总栅电荷(Qg):≤ 16nC。
    - 上升时间(tr):≤ 24ns。
    - 下降时间(tf):≤ 20ns。
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±30V。
    - 漏极连续电流(ID):最高100°C时为2A。
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):≤ 97mJ。
    - 最大功率耗散(PD):100W。

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:超低的栅极电荷减少了开关过程中的能量损耗。
    - 高可靠性:设计用于严格的工业应用环境,具备出色的抗浪涌能力和高可靠性。
    - 低功耗:通过降低导通电阻和栅极电荷,提高了整体效率。
    - 宽工作温度范围:可承受-55°C到+150°C的极端环境温度。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 服务器和电信电源系统,保证稳定高效的电力转换。
    - 开关模式电源(SMPS)和其他电力供应装置,确保长时间稳定运行。
    - 高强度放电灯(HID)和荧光灯的控制电路,提升照明系统的能效。
    - 使用建议:
    - 为了进一步减少功耗,建议在选择其他配套组件时考虑其与FDC7N60的匹配性。
    - 对于工业设备,要特别注意其工作环境的温度管理,以避免过热导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛种类的电源和电子控制系统。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档、应用指南和客户服务,帮助用户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何处理FDC7N60出现的过温问题?
    - A:确保设备的良好散热,可以采用外部散热器来辅助散热。同时,检查电源系统的稳定性,避免过度负载。
    2. Q:FDC7N60在高温环境下运行时表现不佳怎么办?
    - A:请确认是否超过其绝对最大额定值,并按照制造商推荐的方法进行操作。可能需要调整负载或降低工作频率。

    总结和推荐


    FDC7N60 N-Channel MOSFET 是一款卓越的产品,其低损耗特性、广泛的适用性及其在苛刻环境下的稳定表现使其成为众多电力电子应用的理想选择。对于需要高效率、可靠性的设计,我们强烈推荐使用此款MOSFET。无论是在工业控制还是商业领域,FDC7N60都能提供出色的表现,值得信赖。

FDC7N60-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDC7N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDC7N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDC7N60-VB FDC7N60-VB数据手册

FDC7N60-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336