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2SK3635-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2SK3635-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3635-Z-E1-AZ-VB

2SK3635-Z-E1-AZ-VB概述


    产品简介


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET是一种用于电力转换和开关电路的关键元件。其主要功能是作为电源侧的开关,能够高效地控制电流的流动。该产品广泛应用于各种电子产品,包括但不限于开关电源、电机驱动、电池充电器和其他需要高功率转换的应用领域。

    技术参数


    - 电压范围: 200 V (D-S)
    - 最大连续漏极电流: 10 A (TJ = 175 °C)
    - 最大脉冲漏极电流: 12 A
    - 最大功率耗散: 96 W (TC = 25 °C), 3 W (TA = 25 °C)
    - 热阻抗:
    - 结至环境(RthJA): 15-18 °C/W (稳态)
    - 结至外壳(RthJC): 0.85-1.1 °C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 门阈电压: 2-4 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V, ID = 3 A 时: 0.245 Ω (TJ = 25 °C)
    - 在 VGS = 10 V, ID = 3 A, TJ = 125 °C 时: 0.290 Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 3 A, TJ = 175 °C 时: 0.320 Ω
    - 前向转移电容: 80 pF (Crss)
    - 输入电容 (Ciss): 1800 pF
    - 输出电容 (Coss): 180 pF
    - 总门电荷 (Qg): 34-51 nC
    - 门-源电荷 (Qgs): 8 nC
    - 门-漏电荷 (Qgd): 12 nC

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET: 提供更高的效率和更低的导通电阻。
    - PWM 优化: 适用于脉宽调制(PWM)电路,实现高效能转换。
    - 100% Rg 测试: 确保产品的可靠性。
    - 符合 RoHS 指令: 无铅,环保安全。
    - 宽温度范围: 适用于极端温度条件,如-55°C 至 175°C。
    - 高可靠性和耐用性: 可承受高电流冲击,适用于多种应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源: 用于调节直流电源的电压和电流。
    - 电机驱动: 控制电机的启动、停止和速度。
    - 电池充电器: 高效地管理电池充电过程。
    使用建议:
    - 散热设计: 考虑到产品的高功率耗散,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 负载管理: 由于产品的高电流承载能力,确保外部电路和负载的安全。
    - 测试与验证: 在实际应用之前进行充分的测试,确保满足应用需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品适用于大多数现代电路板设计,并可与其他标准元件配合使用。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户可以顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品过热。
    - 解决方案: 增加散热片或改善散热设计,如添加风扇或水冷系统。
    2. 问题: 无法正常关断。
    - 解决方案: 检查电路连接,确保门极驱动信号正确,或者增加栅极电阻。
    3. 问题: 漏电流过高。
    - 解决方案: 检查电路是否有短路现象,确认所有的引脚都正确连接并且没有虚焊。

    总结和推荐


    总结: N-Channel 200 V (D-S) MOSFET凭借其高效率、低导通电阻、PWM 优化和高可靠性等特点,在电力转换和开关电路中表现出色。它适用于广泛的工业和消费类电子产品,特别是在需要高功率转换和严苛环境条件的应用中。
    推荐: 综合以上各方面因素,强烈推荐使用N-Channel 200 V (D-S) MOSFET。它的多功能性和可靠性使其成为各种电源管理和控制应用的理想选择。

2SK3635-Z-E1-AZ-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3635-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3635-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3635-Z-E1-AZ-VB 2SK3635-Z-E1-AZ-VB数据手册

2SK3635-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
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