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FMV05N60E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FMV05N60E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMV05N60E-VB

FMV05N60E-VB概述

    FMV05N60E-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FMV05N60E-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于电源转换、电机控制和其他高功率电子系统。其主要功能是作为开关器件,实现高效电流切换,从而提高系统效率。广泛应用于开关电源、电机驱动器、逆变器等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏极-源极电压 (VDS): 650V
    - 漏极连续电流 (ID): 3.8A (TC=100°C)
    - 峰值漏极电流 (IDM): 18A
    - 最大功耗 (PD): 30W (TC=25°C)
    - 集电极-发射极间二极管反向恢复时间 (trr): 493ns @ TJ = 25°C, IF = 3.2A, dI/dt = 100A/µs
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 80pF
    - 输出电容 (Coss): 1912pF @ VDS = 1.0V, f = 1.0MHz
    - 反向传输电容 (Crss): 7.0pF
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 84pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 48nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 19nC
    - 开通延迟时间 (td(on)): 4ns @ VDD = 325V, ID = 3.2A, RG = 9.1Ω
    - 关断延迟时间 (td(off)): 34ns
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 (RthJC): 2.1°C/W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg): 简化驱动要求,减少驱动电路的复杂度。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性: 提高了整体可靠性,特别适合于高瞬态条件下的应用。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压电流: 保证产品的稳定性和一致性。
    4. 符合 RoHS 指令 2002/95/EC: 确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器: FMV05N60E-VB 可以有效地管理高电压和大电流,适用于高压直流转换。
    - 电机驱动器: 在电机驱动器中,该 MOSFET 可以快速开关,提高能效并减少损耗。
    - 逆变器: 用于光伏逆变器时,可以提供稳定的功率输出,满足电力需求。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意其最大功耗限制,避免因温度过高导致失效。
    - 使用高速驱动器以减少开关损耗。
    - 设计中考虑合理的散热措施,以降低热阻并确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FMV05N60E-VB 与其他标准 N-Channel MOSFET 一样,可以在各种标准电路设计中直接替代。
    - 支持和维护: 供应商提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户快速解决问题。官方网站上也有丰富的资源和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何选择合适的栅极电阻?
    - 解答: 根据具体应用的频率和电流需求来确定,通常可以通过仿真工具来优化。
    - 问题: 该 MOSFET 的热管理如何实现?
    - 解答: 设计良好的散热系统是关键,包括使用散热片和风扇等辅助冷却措施。

    总结和推荐


    FMV05N60E-VB 在设计上注重可靠性、耐用性和效率,适用于多种高压应用场合。其优越的电容特性和低栅极电荷使其在实际应用中表现出色。对于需要高可靠性和稳定性的高压电子系统,强烈推荐使用这款 MOSFET。
    该技术手册为工程师提供了详尽的产品参数和技术细节,帮助他们在设计和选型过程中做出明智的选择。

FMV05N60E-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FMV05N60E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMV05N60E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FMV05N60E-VB FMV05N60E-VB数据手册

FMV05N60E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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