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NTB5605PT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: NTB5605PT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB5605PT4G-VB

NTB5605PT4G-VB概述

    NTB5605PT4G P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTB5605PT4G 是一款由VBsemi公司生产的P沟道功率MOSFET。它属于 TrenchFET® 类型的场效应晶体管(Field Effect Transistor),主要用于负载开关应用。这种MOSFET具有 零栅极电压漏极电流 (IDSS) 的特性,这意味着即使在栅极未施加电压的情况下,仍能保持一定的导通状态。产品封装为 D2PAK (TO-263),便于表面安装。

    技术参数


    以下是根据手册中提取的主要技术参数:
    - VDS (Drain-Source Breakdown Voltage):最大值为60V。
    - RDS(on) (On-State Drain-Source Resistance):
    - 在VGS = -10V时,RDS(on)为0.110Ω。
    - 在VGS = -4.5V时,RDS(on)为0.077Ω。
    - ID (Continuous Drain Current):
    - TC = 25°C时,连续漏极电流ID为30A。
    - TC = 100°C时,连续漏极电流ID为20A。
    - Qg (Total Gate Charge):典型值为12.5nC。
    - IGSS (Gate-Body Leakage):在VDS = 0V,VGS = ±20V条件下,漏电电流为±100nA。
    - td(on) (Turn-On Delay Time):在VDD = -30V,RL = 3.57Ω条件下,典型值为5ns。
    - tr (Rise Time):在VDD = -30V,RL = 3.57Ω条件下,典型值为14ns。
    - td(off) (Turn-Off Delay Time):在VDD = -30V,RL = 3.57Ω条件下,典型值为15ns。
    - tf (Fall Time):在VDD = -30V,RL = 3.57Ω条件下,典型值为7ns。

    产品特点和优势


    NTB5605PT4G 具有以下特点和优势:
    - 高耐压:最大漏源电压为60V,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:在不同电压下,导通电阻最低可至0.077Ω,有效降低功耗。
    - 快速开关性能:典型导通延迟时间为5ns,上升时间14ns,关断延迟时间和下降时间分别为15ns和7ns。
    - 栅极泄漏小:在标准条件下,栅极漏电电流仅±100nA。
    - 高可靠性:所有产品都经过 100% UIS测试(雪崩耐受能力测试),确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    NTB5605PT4G 主要应用于负载开关领域。例如,在电源管理和配电系统中,可以用于控制大功率负载的接通和断开。建议在选择其他组件时,考虑与该MOSFET的兼容性。在实际应用中,为了最大化性能和可靠性,应注意:
    - 确保散热良好,以避免过热导致损坏。
    - 使用合适的驱动电路来减少开关损耗。
    - 遵循制造商的推荐布局,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET设计为表面贴装,适用于广泛的应用平台。由于其高性能特性,它可以在多种负载开关应用中表现出色。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和客户服务。用户可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助和资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备过热
    - 解决方法:确保使用散热片或散热器来提高热耗散效率。

    - 问题:开关损耗高
    - 解决方法:优化驱动电路设计,选择合适的栅极电阻(Rg)以减小开关损耗。

    总结和推荐


    总体而言,NTB5605PT4G 是一款出色的P沟道MOSFET,适用于高压负载开关应用。它的低导通电阻和快速开关性能使其在电力管理系统中表现优异。建议在需要高效和可靠开关性能的场合使用该产品。如果需要进一步技术支持,可通过VBsemi的服务热线获取。

NTB5605PT4G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB5605PT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB5605PT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB5605PT4G-VB NTB5605PT4G-VB数据手册

NTB5605PT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.6248
100+ ¥ 2.4304
500+ ¥ 2.3332
800+ ¥ 2.236
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