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JCS630F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: JCS630F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS630F-O-F-N-B-VB

JCS630F-O-F-N-B-VB概述

    JCS630F-O-F-N-B-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    JCS630F-O-F-N-B-VB 是一款适用于高压环境的 N 沟道 MOSFET,主要用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。该产品以其高电压隔离、低热阻和宽温度范围操作等特点,在多种应用场景中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 200 V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 最大连续漏电流 \(ID\)(\(TC\) = 25 °C): 6.5 A
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\): 32 A
    - 最大单次脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 36 mJ
    - 最大重复雪崩电流 \(I{AR}\): 7.2 A
    - 最大重复雪崩能量 \(E{AR}\): 3.7 mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\): 37 W
    - 热阻 \(R{thJA}\): 65 °C/W
    - 热阻 \(R{thJC}\): 4.1 °C/W
    - 最大结温 \(TJ, T{stg}\): -55 到 +175 °C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 200 V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2.0 至 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流 \(I{DSS}\): 25 μA
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.265 Ω(\(V{GS}\) = 10 V)
    - 转导电导率 \(g{fs}\): 2.3 S
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 560 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):
    - 门极电荷 \(Qg\): 16 nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 5 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 8 nC
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 8 ns
    - 上升时间 \(tr\): 30 ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): -19 ns
    - 下降时间 \(tf\): -20 ns
    - 内部漏极电感 \(LD\): 4.5 nH
    - 内部源极电感 \(LS\): 7.5 nH
    - 二极管特性
    - 连续源极-漏极二极管电流 \(IS\):
    - 脉冲二极管正向电流 \(I{SM}\):
    - 二极管反向恢复时间 \(t{rr}\): 130 至 260 ns
    - 二极管反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 0.65 至 1.3 μC

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离:额定耐压 2.5 kVRMS,确保安全可靠的操作。
    2. 低热阻:热阻低至 4.1 °C/W,提高散热性能,延长使用寿命。
    3. 宽工作温度范围:可在 -55 到 +175 °C 的极端环境下稳定运行。
    4. 动态 \(dV/dt\) 评级:确保在高速开关条件下也能正常工作。
    5. 环保材料:采用无铅封装,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    JCS630F-O-F-N-B-VB 主要应用于电源转换、电机驱动和工业控制等领域。例如,在电源转换器中,可以作为开关元件来实现高效能的电力转换。在电机驱动系统中,可以用于控制电动机的启停和调速。为了充分发挥其性能,建议在设计时考虑以下几点:
    1. 散热管理:由于热阻较低,合理的散热设计可以进一步提高工作效率。
    2. 电气保护:在关键电路节点增加保护措施,如瞬态抑制二极管,以防止电压突变导致的损坏。
    3. 滤波电路:添加适当的滤波电容,以减小输出纹波,保证输出电压的稳定性。

    兼容性和支持


    JCS630F-O-F-N-B-VB 与多种电气设备兼容,适用于广泛的电路设计。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和应用该产品。对于具体的应用需求,建议联系台湾VBsemi官方技术人员进行咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确设置工作电压?
    解答:参考技术手册,根据具体应用需求选择合适的 \(V{GS}\) 和 \(V{DS}\) 设置。

    2. 问题:怎样避免过热损坏?
    解答:通过有效的散热设计,确保 \(TJ\) 不超过 175 °C 的最大限制。
    3. 问题:如何改善开关性能?
    解答:优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    JCS630F-O-F-N-B-VB 在众多领域都有广泛的应用前景,尤其是在需要高电压、宽温度范围和高效能的场合。其出色的性能参数和独特的功能使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐使用这款产品,尤其是对那些寻求高性能、高可靠性的用户。
    如有更多问题或需要技术支持,可随时联系台湾VBsemi的客服热线:400-655-8788。

JCS630F-O-F-N-B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS630F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS630F-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS630F-O-F-N-B-VB JCS630F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS630F-O-F-N-B-VB封装设计

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10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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型号 价格(含增值税)
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