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FDMC15N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,15A,RDS(ON),15mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: FDMC15N06-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDMC15N06-VB

FDMC15N06-VB概述

    FDMC15N06-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDMC15N06-VB是一款由VBsemi公司生产的N-沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET)。它专为高温应用而设计,具有高达175°C的结温耐受能力。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动等领域,因其卓越的性能和可靠性受到市场的青睐。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | - | - | 4.5 | V |
    | 零门压漏电流 | IDSS | - | - | 250 | µA |
    | 导通电阻(10 V) | RDS(on) | - | 0.010 | - | Ω |
    | 导通电阻(4.5 V) | RDS(on) | - | 0.013 | - | Ω |
    | 持续漏极电流(TJ = 175 °C) | ID | - | 13 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 100 | - | A |
    | 单次雪崩能量(占空比 ≤ 1%) | EAS | - | 125 | - | mJ |
    | 最大结到环境热阻 | RthJA | - | 15 | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:最高工作温度可达175°C,适用于极端温度条件下的应用。
    - TrenchFET® 功率MOSFET:采用先进的沟槽栅结构,提升导电效率,减少损耗。
    - 低导通电阻:RDS(on)值低至0.010Ω(10V),有效提高能效。
    - 快速开关特性:具有优异的动态性能,如较低的输出电容Coss和反向传输电容Crss,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:可作为开关器件用于各类直流变换器、逆变器,如DC-DC转换器和AC-DC整流器。
    - 电机控制:适合作为电机控制器中的关键功率开关器件。
    - LED驱动:可用于LED照明系统的驱动电路,提高整体系统效率。
    使用建议:
    - 在选择散热片时需考虑RthJA的数值,确保适当的冷却措施,以保持器件的稳定运行。
    - 注意输入电压范围及脉冲宽度限制,避免超过绝对最大额定值导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 该器件采用DFN 3x3 EP封装,易于安装和集成。
    - 兼容性:与其他标准表面贴装技术(SMT)工艺兼容。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和应用指南,通过官方客服热线400-655-8788获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确认门极电压(VGS)达到额定值,检查连接线是否有短路或断路 |
    | 散热不良 | 增加散热面积,改善散热路径,使用合适的散热器 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDMC15N06-VB是一款高性能、高可靠性的N-沟道MOSFET。其卓越的温度耐受能力、低导通电阻和优异的动态性能使其成为多种应用的理想选择。强烈推荐在需要高效、可靠电力转换的应用中使用此器件。

FDMC15N06-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 15A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,18mΩ@4.5V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDMC15N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDMC15N06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDMC15N06-VB FDMC15N06-VB数据手册

FDMC15N06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
5000+ ¥ 2.3759
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