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J527STR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J527STR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J527STR-VB

J527STR-VB概述

    J527STR P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    J527STR 是一款由VBsemi生产的P沟道功率MOSFET。它具有多种独特的功能和卓越的性能参数,适用于多种应用场景,如负载开关(Load Switch)等。J527STR 在高压环境下表现出色,为电源管理和转换提供了可靠的解决方案。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 最大零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): -1 mA(在 \( TJ = 125^\circ \text{C} \) 时为 -50 µA)
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 \( ID \): -30 A(在 \( TJ = 175^\circ \text{C} \) 时为 -25 A)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -30 A
    - 电阻参数:
    - 导通状态电阻 \( r{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10 \text{V}, ID = -5 \text{A} \) 时为 0.100 Ω
    - 在 \( V{GS} = -10 \text{V}, ID = -5 \text{A} \) 且 \( TJ = 175^\circ \text{C} \) 时为 0.150 Ω
    - 其他参数:
    - 输出电容 \( C{oss} \): 120 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 10 nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 2.1 nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 3.2 nC
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1000 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 100 pF

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,所有器件都经过非雪崩耐受测试(100% UIS Tested)。
    - 高性能:导通状态电阻低,使得在大电流下仍能保持高效能。
    - 宽工作温度范围:从 -55°C 到 175°C 的宽温度范围,适应各种严苛环境。
    - 热阻抗低:典型稳态热阻抗 \( R{thJA} \) 仅为 20°C/W,确保良好的散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 负载开关:在电源管理系统中用于控制电路的通断。
    - 高压保护电路:在高压环境下提供过压保护。
    - 使用建议:
    - 确保在高温环境下使用时考虑散热措施,避免因过热导致器件损坏。
    - 在大电流应用中,合理布局PCB,减少寄生电感,以提高开关速度和降低损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该器件为表面贴装封装(TO-252),易于在1英寸x1英寸的FR-4板上安装。

    - 支持:
    - VBsemi提供详细的技术文档和设计指南,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高温度环境下工作不稳定?
    - A: 确保良好的散热措施,避免器件过热。
    - Q: 器件启动时响应慢?
    - A: 检查外部电路的布线和电容配置,确保快速启动。
    - Q: 工作时产生过多噪声?
    - A: 检查是否有寄生电感影响,适当增加滤波电容以降低噪声。

    7. 总结和推荐


    J527STR P-Channel MOSFET凭借其高可靠性、宽工作温度范围和低导通电阻,成为负载开关和高压保护电路的理想选择。其出色的性能和广泛的应用领域使其在市场上具有较强的竞争力。建议在需要高效、稳定工作的高压应用场景中选用该产品。
    联系方式:服务热线 400-655-8788

J527STR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 38A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J527STR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J527STR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J527STR-VB J527STR-VB数据手册

J527STR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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