处理中...

首页  >  产品百科  >  5N40G-TA3-T-VB

5N40G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 5N40G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5N40G-TA3-T-VB

5N40G-TA3-T-VB概述


    产品简介


    5N40G-TA3-T-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高频开关应用设计。这款器件采用先进的制造工艺,具备低门极电荷(Qg)和卓越的动态和雪崩性能,非常适合应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及高速功率转换系统。产品适用于多种离线SMPS拓扑,如主动钳位正激电路和主开关应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 V |
    | 漏源击穿电压 | VDS 600 | V |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) 0.780 Ω (VGS=10V) |
    | 总栅极电荷 | Qg 49 | nC |
    | 输出电容 | Coss 180 pF |
    | 峰值电流 | IDM 37 | A |
    | 最高功率耗散 | PD 170 | W |
    | 工作温度范围 | TJ,Tstg | -55 150 | °C |
    其他关键指标包括:
    - 封装形式:TO-220AB
    - 雪崩耐受能力:290 mJ(单脉冲)
    - 接触到散热器热阻:0.75°C/W

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:减少了驱动电路的复杂度,降低了功耗。
    - 增强的耐用性:在栅极、雪崩及快速dv/dt条件下表现优异。
    - 全面表征:包含电容、雪崩电压和电流的详细数据。
    - 高可靠性:适合恶劣环境下的长期运行。
    - 优化性能:尤其在高频开关电源中表现出色,可显著提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 开关模式电源 (SMPS)
    用于服务器、通信设备及消费电子产品中,实现高效能的直流-直流变换。

    2. 不间断电源 (UPS)
    提供高可靠性的后备电力供应,在电网故障时确保设备正常运行。
    使用建议:
    - 电路布局优化:为减少寄生电感和漏电流,建议采用短距离布线并配备接地平面。
    - 保护措施:添加过压保护和防浪涌电路以防止意外损坏。
    - 参数校准:根据实际负载调整驱动电阻(Rg),优化开关速度。

    兼容性和支持


    该器件与主流的控制器及驱动器兼容,无需额外硬件改动即可轻松集成到现有系统中。VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品请求、定制化设计咨询及售后服务热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致器件失效 | 确保良好的散热设计,增加散热片或降低负载 |
    | 开关损耗过高 | 优化栅极电阻,减小Qg值 |
    | 雪崩电流过大 | 增强输入滤波,避免电压尖峰 |

    总结和推荐


    5N40G-TA3-T-VB N-Channel MOSFET 是一款高度可靠的功率半导体器件,特别适合需要高性能和高可靠性的开关电源应用。其出色的热管理和抗干扰能力使其成为市场上的佼佼者。我们强烈推荐该产品用于各种工业和消费类电子产品,无论是作为新设计的核心组件还是替换传统型号都是理想选择。如果您对具体规格或定制需求有任何疑问,请随时联系我们的服务热线400-655-8788获取帮助!

5N40G-TA3-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 8A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

5N40G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5N40G-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5N40G-TA3-T-VB 5N40G-TA3-T-VB数据手册

5N40G-TA3-T-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336