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PHX6N60E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: PHX6N60E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX6N60E-VB

PHX6N60E-VB概述

    PHX6N60E Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    PHX6N60E 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的低损耗特性和高可靠性。它被广泛应用于多种电力系统中,包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。此外,这款 MOSFET 在工业应用中也有卓越的表现。

    技术参数


    PHX6N60E 的主要技术规格如下:
    - 最大耐压:650 V
    - 导通电阻:1 Ω @ 25 °C,10 V 时
    - 总栅极电荷:13 nC @ 10 V
    - 输出电容:Coss:变量
    - 反向传输电容:Crss:变量
    - 峰值脉冲雪崩能量:860 mJ
    - 最大连续漏极电流:15 A @ 100 °C
    - 最高结温和存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C
    - 最大瞬态热阻抗:63 °C/W

    产品特点和优势


    PHX6N60E 的主要优势包括:
    - 低损耗特性:通过低栅极电荷和总栅极电荷设计,减少了开关和传导损耗。
    - 高可靠性:具有重复的脉冲雪崩能量等级,适用于需要频繁开关的应用。
    - 优化的驱动特性:适合于各种驱动电路的设计,易于集成到现有系统中。
    - 广泛的温度适应性:能在极端温度环境下正常工作,适应多种恶劣条件。

    应用案例和使用建议


    PHX6N60E 广泛用于多种应用场景:
    - 服务器和电信电源:用于高效能的电力管理系统。
    - 照明系统:如高强度放电灯和荧光灯控制系统。
    - 工业应用:需要高性能功率控制和转换的场合。
    使用建议:
    - 在设计系统时,应考虑器件的工作温度和最大允许的栅极电压。
    - 使用低杂散电感和接地平面来优化电路布局,减少电磁干扰。
    - 为确保可靠运行,需在合适条件下进行测试,尤其是高功率环境下的稳定性测试。

    兼容性和支持


    PHX6N60E 与其他标准的电子元器件兼容,可以方便地替换现有的类似产品。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,以帮助客户更好地理解和应用这一产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定器件的适配性?
    - A: 客户应参考产品数据表中的参数,并验证其与具体应用要求的一致性。
    - Q: 器件的最大电流限制如何确定?
    - A: 最大电流应根据具体应用条件进行评估,一般应在器件的数据表中查找到对应的工作环境。
    - Q: 如何处理电路中可能的过热问题?
    - A: 采用散热设计,如使用散热片和风扇,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐


    PHX6N60E 功率 MOSFET 是一款具有高可靠性和广泛应用能力的产品。其独特的低损耗特性和广泛的适用范围使其成为电力管理和转换领域的优选组件。我们强烈推荐在各种电力应用中使用此产品,以实现高效且可靠的性能。

PHX6N60E-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHX6N60E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHX6N60E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHX6N60E-VB PHX6N60E-VB数据手册

PHX6N60E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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