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K3793-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K3793-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3793-VB

K3793-VB概述


    产品简介


    K3793-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,采用 N 沟道设计,其主要功能是作为开关元件,在电力转换和控制电路中发挥重要作用。它广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。此产品提供卓越的隔离性能、高电压隔离能力(2.5 kVRMS)以及低热阻特性,确保在极端条件下的可靠运行。

    技术参数


    以下为 K3793-VB 的核心技术参数表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 250 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.086 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1700 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 560 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 120 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 72 | - | nC |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 48 | - | W |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离能力:具备 2.5 kVRMS 的高电压隔离等级,能够有效防止电磁干扰和高压损坏。
    2. 宽工作温度范围:能够在 -55 至 +175 °C 的极端环境下稳定运行。
    3. 动态性能优异:具有出色的动态 dV/dt 和 dI/dt 性能,适合高频应用。
    4. 低热阻:优秀的散热性能,有助于延长产品寿命并提高可靠性。
    5. 无铅封装:符合环保要求,支持绿色生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理系统:作为开关元件,用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器。
    - 电机驱动:在电动车和工业机器人中作为驱动器,提升效率。
    - 逆变器:应用于光伏逆变器和 UPS 系统,实现高效电力转换。
    使用建议:
    - 在高频率切换场景下,建议优化 PCB 布局以降低寄生电感,避免信号失真。
    - 结合专用驱动芯片使用,可进一步减少开关损耗,提高效率。
    - 确保散热片安装牢固,使用推荐的扭矩值(10 lbf·in 或 1.1 N·m),以充分发挥其低热阻特性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K3793-VB 与大多数主流驱动器和控制器兼容,如 STMicroelectronics 和 Texas Instruments 提供的相关芯片。
    - 支持服务:VBsemi 提供详尽的技术文档和专业支持,用户可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度过慢 | 检查栅极驱动电路设计,增加驱动强度。 |
    | 热失控现象 | 改善散热设计,增加散热片或降低负载。 |
    | 误触发 | 确认 VGS 超出安全范围,调整输入电压至正常水平。 |

    总结和推荐


    K3793-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 在多个关键指标上表现出色,尤其是其高电压隔离能力和宽温运行能力使其适用于严苛的工作环境。结合其紧凑的设计和高性价比,非常适合现代电力电子应用。强烈推荐使用此产品作为高效、可靠的开关元件。
    最终评分:★★★★☆(4/5),仅需在某些特定场景下对驱动电路进一步优化即可达到最佳性能。

K3793-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3793-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3793-VB数据手册

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K3793-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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型号 价格(含增值税)
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