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K2628-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2628-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2628-VB

K2628-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    这款Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是高性能的N沟道器件,具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),专为高效率开关应用设计。其主要功能包括快速开关速度、较低的开关和导通损耗,以及出色的雪崩耐受能力。适用于多种工业和消费电子领域的电源管理解决方案。
    应用领域
    - 服务器和电信电源:提高电源转换效率。
    - 开关模式电源(SMPS):广泛用于笔记本电脑、台式机和其他消费电子设备。
    - 功率因数校正(PFC)电源:优化电网利用率。
    - 照明系统:包括高强度放电灯(HID)和荧光灯电子镇流器。
    - 工业设备:提供高效能驱动解决方案。

    技术参数


    以下是关键的技术规格汇总:
    | 参数 | 描述 | 数值 |
    |
    | 额定电压 (VDS) | 最大漏源电压 | 650 V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 25℃下典型值 @ VGS=10V | 1.0 Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 典型值 | 13 nC |
    | 栅极电容 (Ciss) | 输入电容典型值 | - |
    | 雪崩能量 (EAS) | 单脉冲雪崩耐受能力 | 97 mJ |
    | 最大工作温度范围 | 结温和存储温度范围 | -55°C 至 +150°C |
    | 开关速度参数 | 门极输入电阻 | 3.5 Ω |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通损耗:RDS(on) 值低,确保更高效的电力传输。
    2. 超低栅极电荷 (Qg):减少开关过程中的能量损失,加快切换速度。
    3. 高雪崩耐受性:UIS能力提升至97mJ,增强了极端条件下的可靠性。
    4. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的工作环境,适应严苛条件。
    市场竞争力
    这款MOSFET在开关模式电源和功率因数校正电路中表现出色,尤其是在需要低功耗和高效率的应用中具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - LED驱动器:通过优化导通损耗实现更高的效率。
    - 电动车充电器:凭借低导通电阻和雪崩耐受性应对高压环境。
    使用建议
    1. 在选择栅极驱动时,需匹配适当的栅极电阻以限制Qg的增加。
    2. 设计中应考虑寄生电感对开关性能的影响,建议采用短引线和良好的接地布局。

    兼容性和支持


    兼容性
    此MOSFET与主流的SMPS控制器及PFC芯片高度兼容,适合搭配高性能的控制器实现最佳效果。
    厂商支持
    台湾VBsemi公司提供详细的技术文档和24小时技术支持,确保客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中温度过高 | 检查散热片设计是否合理,并适当降低负载电流。 |
    | 高频操作导致的过压损坏 | 增加外部RC缓冲网络以抑制瞬态电压波动。 |
    | 热阻过高的现象 | 改善PCB布局,加大散热面积或使用导热硅脂。 |

    总结和推荐


    综合评估
    此款Power MOSFET以其卓越的性能和广泛的应用场景,在电力电子行业中具有不可替代的地位。尤其在高效率、低损耗需求的场合表现尤为突出。
    推荐结论
    强烈推荐使用此产品,特别是在需要高可靠性、高效率的开关模式电源及功率因数校正电路中。对于追求性能极限的设计工程师而言,它是一个理想的选择。

K2628-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2628-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2628-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2628-VB K2628-VB数据手册

K2628-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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