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2851O-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,-30V,-3.5A,RDS(ON),38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: 2851O-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2851O-VB

2851O-VB概述

    电子元器件技术手册解析
    本文将详细介绍一款高性能的N-Channel和P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的技术手册内容。该产品主要适用于高效率电源管理、电机驱动、开关电源等应用领域。通过细致的技术参数对比和使用建议,我们将全面解析其功能特性和应用场景,帮助您更好地了解并应用此款电子元器件。

    产品简介


    这款电子元器件是一种N-Channel和P-Channel MOSFET,能够承受最大30V的电压。主要应用于需要高速开关和高可靠性的场合,例如高效率电源转换、电机驱动和各种逆变器系统。它具有快速开关性能,能够在极短的时间内完成开关操作,有效提高系统的响应速度和整体效率。

    技术参数


    以下为该产品的关键技术和电气参数:
    - N-Channel MOSFET
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): +20V
    - 最大连续漏电流 \( ID \) @ TA=25℃: 6.2A
    - 最大连续漏电流 \( ID \) @ TA=70℃: 5.0A
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 20A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 未指定(具体数值依赖于散热条件)
    - 热阻 \( R{thj-a} \): 90℃/W
    - P-Channel MOSFET
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): -30V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): +20V
    - 最大连续漏电流 \( ID \) @ TA=25℃: -5.0A
    - 最大连续漏电流 \( ID \) @ TA=70℃: -4.0A
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): -18A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 未指定(具体数值依赖于散热条件)
    - 热阻 \( R{thj-a} \): 90℃/W

    产品特点和优势


    1. 高速开关性能:其快速开关能力使得该MOSFET特别适合于高频开关应用。
    2. 低导通电阻:N-Channel型号在典型条件下拥有22mΩ的导通电阻,而P-Channel型号则为45mΩ。
    3. 高可靠性:通过严格的电气参数测试,确保产品在极端温度下也能稳定运行。
    4. 环保标准:符合RoHS和无卤素标准,适应环保要求高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于各类开关电源、电机驱动、UPS系统等,尤其是在需要高效率和高可靠性的场景中。以下是几个具体的应用建议:
    1. 电源管理:用于高效率的直流到直流转换器中,提高能源利用率。
    2. 电机驱动:可以作为电机驱动电路中的开关器件,实现精确控制。
    3. 逆变器:适用于逆变器设计,特别是在需要高速切换和低损耗的场合。
    使用建议:
    - 确保电路板的散热设计符合产品热阻要求,以避免因过热导致性能下降。
    - 在高温环境下使用时,应适当降低电流负载,以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    该产品具备良好的兼容性,可与多种控制器和驱动器配合使用。厂商提供详细的技术文档和支持服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高电流下过热。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改善空气流通。

    2. 问题:产品频繁失效。
    - 解决方案:检查工作条件是否超出规格范围,如电流过大、温度过高。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel和P-Channel MOSFET在性能上表现出色,尤其适合需要高效能和高可靠性的应用场景。其快速开关性能、低导通电阻和高可靠性使其成为市场上的佼佼者。强烈推荐该产品用于高要求的电源管理和控制系统设计中。

2851O-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 3.5A
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2851O-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2851O-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2851O-VB 2851O-VB数据手册

2851O-VB封装设计

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