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K4A60DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4A60DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A60DA-VB

K4A60DA-VB概述


    产品简介


    K4A60DA-VB 是一款N沟道功率MOSFET,具有650V的漏源电压(VDS)。该器件主要应用于需要高电压、低损耗的电源转换场合,如逆变器、电机驱动器和开关电源等领域。其关键功能包括高效的能量传输、低导通电阻和良好的热稳定性。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(在VGS = 10V时)
    - 总栅极电荷(Qg):48nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):12nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):19nC
    - 最大峰值反向恢复电压(dV/dt):2.8V/ns
    - 绝对最大额定值:重复脉冲,脉宽受限于最大结温(见图11)
    - 最大连续漏电流(ID):3.8A(TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 热阻:最大结到环境热阻(RthJA):65°C/W;最大结到管壳热阻(RthJC):2.1°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:K4A60DA-VB具有较低的栅极电荷(Qg),这减少了驱动要求,使得电路设计更为简单。
    - 增强的坚固性:改善的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性提高了器件的可靠性。
    - 全面的特性化:完全特性化的电容和雪崩电压及电流,为设计提供了可靠的数据支持。
    - 符合RoHS指令:K4A60DA-VB完全符合RoHS指令2002/95/EC,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    K4A60DA-VB适合用于高压电源转换场合。例如,在逆变器系统中,可以实现高效的能量传输。在实际应用中,需要注意以下几点:
    - 热管理:由于器件的最大结温限制,必须确保良好的散热措施,以防止过热。
    - 驱动电路设计:由于低栅极电荷的特点,推荐使用简单的驱动电路设计。
    - 封装选择:推荐使用TO-220 FULLPAK封装,以提供较好的热传导和机械强度。

    兼容性和支持


    K4A60DA-VB与大多数标准N沟道MOSFET驱动器兼容。厂商提供详尽的技术支持文档,包括数据手册和设计指南,以便于用户进行正确的产品选型和使用。此外,供应商还提供相关的应用笔记和技术支持热线,以帮助解决设计过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 器件的最高结温是多少?
    - A: K4A60DA-VB的最高结温可达150°C。

    - Q: 如何处理过高的漏电流问题?
    - A: 可通过增加散热片或改进散热设计来降低漏电流。
    - Q: 器件是否适用于高温环境?
    - A: 器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,可以在广泛的温度范围内正常工作。

    总结和推荐


    K4A60DA-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有出色的耐热性能、低导通电阻和良好的鲁棒性。它特别适合高压电源转换应用。总体来看,这款器件具有较高的市场竞争力和广泛的应用前景。对于需要高效率和高可靠性的电源设计,K4A60DA-VB是一个值得推荐的选择。

K4A60DA-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A60DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4A60DA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4A60DA-VB K4A60DA-VB数据手册

K4A60DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7812
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