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NUD3160LT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: NUD3160LT1G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NUD3160LT1G-VB

NUD3160LT1G-VB概述


    产品简介


    产品类型
    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能
    - 具有低阈值电压,快速开关速度,低输入输出漏电流等特点。
    - 适用于逻辑电平接口、驱动器、电池操作系统及固态继电器等应用领域。
    应用领域
    - 直接逻辑电平接口(如TTL/CMOS)
    - 驱动器(如继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等)
    - 电池操作设备
    - 固态继电器

    技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 栅极-源极电压 | VGS:±20V |
    | 漏极-源极电压 | VDS:60V |
    | 漏极电流 | 连续:250mA(TA=25°C),150mA(TA=100°C) |
    | 脉冲漏极电流 | IDM:800mA |
    | 功率耗散 | TA=25°C时:0.30W;TA=100°C时:0.13W |
    | 热阻抗 | RthJA:350°C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg:-55°C至150°C |

    产品特点和优势


    - 低阈值电压:2V(典型值),保证电路稳定工作。
    - 低输入电容:25pF,便于驱动。
    - 高速开关:25ns,适合高频电路。
    - 兼容罗氏规范:符合RoHS指令。
    - 低误差电压:降低系统误差。
    - TrenchFET®技术:提高功率效率。

    应用案例和使用建议


    - 直接逻辑电平接口:由于其低阈值电压和高速开关能力,可用于TTL/CMOS逻辑电平接口。
    - 驱动器应用:适用于需要快速响应的应用场合,如继电器和螺线管驱动。
    - 电池操作设备:因其低功耗和小尺寸,适合电池供电系统。
    - 固态继电器:适合要求高可靠性的应用场合。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种逻辑电平接口和驱动器,具有良好的兼容性。
    - 支持和服务:制造商提供技术支持和售后服务,确保用户能够正确使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间工作导致过热。
    - 解决方案:适当增加散热片以降低工作温度。
    2. 问题:脉冲电流过大导致损坏。
    - 解决方案:限制脉冲宽度和频率,避免超载。
    3. 问题:启动和关断时间较长。
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻以加快开关速度。

    总结和推荐


    这款N-Channel 60-V (D-S) MOSFET具备出色的性能,特别是在逻辑电平接口、驱动器及电池操作设备方面的应用表现优异。它的低阈值电压、快速开关能力和兼容性使其在市场上具有很强的竞争力。建议在对开关速度和可靠性要求较高的应用场合优先考虑此产品。

NUD3160LT1G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 300mA
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NUD3160LT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NUD3160LT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NUD3160LT1G-VB NUD3160LT1G-VB数据手册

NUD3160LT1G-VB封装设计

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