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K3919-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: K3919-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3919-ZK-VB

K3919-ZK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),特别适用于需要高效率和可靠性的应用场景。此型号的MOSFET具备强大的电流处理能力,适用于服务器、直流-直流转换器(DC/DC converters)和电源管理等场合。其关键特性包括低导通电阻和卓越的热稳定性能,使其成为现代电力电子系统中的优选组件。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 30 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在25°C时为100A
    - 在70°C时为80A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 300A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8 mJ
    - 阈值电压(VGS(th)): 1.5V ~ 2.5V
    - 门源漏电电流(IGSS): ±100 nA
    - 正向体二极管电压(VSD): 0.8V ~ 1.2V
    - 反向恢复时间(trr): 52 ns ~ 78 ns
    - 最大功率耗散(PD):
    - 在25°C时为235W
    - 在70°C时为165W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C ~ 175°C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET技术: 采用先进的TrenchFET®技术,确保了高效率和低损耗。
    2. 完全测试认证: 所有产品均通过了门电阻和雪崩耐受性测试,符合RoHS指令要求。
    3. 优秀的散热性能: 具备低热阻(RthJA < 40°C/W),能在高温环境下保持高效运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器: 在服务器中用于电源管理,可以有效地提高系统的整体能效。
    - DC/DC转换器: 在DC/DC转换器中,这种MOSFET能够提供稳定的电压输出和高效率的能量转换。
    - 电源管理系统: 在电源管理系统中,由于其出色的热稳定性和低损耗特性,可以显著提升系统的可靠性和效率。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,需考虑其散热方案,以防止过热对MOSFET造成损害。
    - 确保在高负载情况下提供足够的散热条件,以保证其长期稳定运行。

    兼容性和支持


    此款MOSFET采用标准TO-252封装,易于安装并广泛兼容各种电路板设计。制造商提供了详尽的技术支持文档,并且提供了可靠的售后服务保障,以满足客户的使用需求。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过载导致MOSFET烧毁 | 确保散热系统有效运作,选择合适的散热片或者风扇来帮助散热。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查外部驱动信号,确保驱动信号稳定且符合要求。 |
    | 寿命短 | 长期过载运行会导致寿命缩短,确保在安全工作范围内使用。 |

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其先进的技术和优异的性能,非常适合作为高性能电源管理和控制的关键组件。其出色的热稳定性和低导通电阻使其在多个应用领域中表现出色。强烈推荐在需要高可靠性、高效能的电力电子系统中使用此款MOSFET。
    如有更多疑问或需要技术支持,可联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

K3919-ZK-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3919-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3919-ZK-VB数据手册

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K3919-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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