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K3530-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3530-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3530-01MR-VB

K3530-01MR-VB概述

    # K3530-01MR-VB N-Channel 800V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3530-01MR-VB 是一款高性能 N-Channel Super Junction MOSFET,专为高效率开关电源、电机驱动和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有动态 dV/dt 评级、重复雪崩评级和快速开关能力等特点,能够在高温和恶劣环境下稳定运行。K3530-01MR-VB 支持 RoHS 规范,适用于绿色环保应用。
    主要功能
    - 动态 dV/dt 额定值:能够承受高压瞬变
    - 重复雪崩能力:提高可靠性
    - 快速开关性能:降低开关损耗
    - 易于并联:适合大电流应用
    - 简单的驱动需求:简化电路设计
    - RoHS 合规:绿色环保
    应用领域
    - 开关电源(SMPS)
    - 电机控制和驱动
    - DC-DC 转换器
    - 灯具驱动
    - 工业控制设备

    技术参数


    以下是 K3530-01MR-VB 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 800 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 200 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 24 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 110 | - | nC |
    | 峰值雪崩能量 | EAS | - | 770 | - | mJ |
    绝对最大额定值
    - 最大结温:150°C
    - 存储温度范围:-55 至 +150°C
    - 最大脉冲电流:21A
    热阻抗
    - 结壳热阻(典型值):0.65°C/W
    - 结点到环境热阻(最大值):40°C/W

    产品特点和优势


    K3530-01MR-VB 的主要特点和优势如下:
    - 动态 dV/dt 额定值:增强对高压瞬变的耐受能力,确保稳定运行。
    - 重复雪崩评级:适合高频开关应用,提高可靠性。
    - 快速开关性能:减少开关损耗,提升能效。
    - 简单驱动要求:降低设计复杂度,节省成本。
    - 兼容 RoHS 和无卤素标准:符合环保要求,适用全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:用于 AC-DC 转换器中,提升整体效率。
    2. 电机驱动:在伺服电机控制中实现高效能量传输。
    3. 照明系统:作为 LED 驱动器的核心组件。
    使用建议
    - 在高电流应用中,并联多个器件以分散热量。
    - 确保良好的 PCB 设计,降低寄生电感和杂散电容。
    - 在高温环境中运行时,合理分配散热片以避免过热。

    兼容性和支持


    K3530-01MR-VB 可与主流驱动器和控制器兼容,适用于多种工业标准平台。制造商提供详尽的技术支持文档,包括用户指南、应用笔记和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 增加散热片面积或降低开关频率 |
    | 雪崩击穿问题 | 选择合适的保护电路 |
    | 导通电阻偏高 | 确保驱动电压满足要求 |

    总结和推荐


    K3530-01MR-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel Power MOSFET,适用于多种功率转换和控制应用。其动态 dV/dt 额定值、快速开关能力和重复雪崩评级使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效能和高可靠性的用户,我们强烈推荐使用此产品。通过合理的电路设计和适当的热管理措施,可充分发挥其潜力。
    最终推荐结论: 强烈推荐!

K3530-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3530-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3530-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3530-01MR-VB K3530-01MR-VB数据手册

K3530-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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