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6N10L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 6N10L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6N10L-TN3-R-VB

6N10L-TN3-R-VB概述

    6N10L-TN3-R N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    6N10L-TN3-R 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),具有以下主要特点:其采用了 TrenchFET® 技术,能够在高达 175°C 的工作温度下稳定运行。此产品特别适用于需要高效率PWM(脉冲宽度调制)控制的应用场景。它还具备 100% Rg 测试保证,且符合RoHS标准。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 VDS | - | 100 V |
    | 漏极连续电流 ID | - | 13 A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | - | - | 40 | A |
    | 源极连续电流 IS | - | - | 3 | A |
    | 雪崩击穿电流 IAS | - | - | 3 | A |
    | 雪崩能量 EAS | - | - | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散 PD | - | 96 W |
    | 静态门体泄漏 IGSS | - | ± 100 nA |
    | 通态电阻 RDS(on) | 0.040 | 0.040 | 0.140 | Ω |
    | 输入电容 Ciss | - | 950 pF |
    | 输出电容 Coss | - | 120 pF |
    | 反向转移电容 Crss | - | 60 pF |
    | 总栅极电荷 Qg | - | 24 | 41 | nC |
    | 门极-源极电荷 Qgs | - | 8 nC |
    | 门极-漏极电荷 Qgd | - | 12 nC |
    | 栅极电阻 Rg | 0.5 | 2.9 Ω |

    产品特点和优势


    - 高温稳定性:该 MOSFET 在高达 175°C 的温度下仍能保持高效运作,适合在严苛环境中使用。
    - 高效的开关性能:采用 TrenchFET® 技术,使得开关损耗大大降低,提高系统效率。
    - 高可靠性:通过 100% Rg 测试,确保每个产品都达到最佳质量标准。
    - 符合环保标准:产品完全符合 RoHS 指令,绿色无害。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于多种电力转换应用,如开关电源、马达驱动器、照明设备等。
    - 使用建议:在安装过程中,应保证良好的散热条件,以确保长期稳定运行。在实际应用时,应考虑温度对阻抗的影响,适当调整电路设计。

    兼容性和支持


    - 6N10L-TN3-R 可以方便地与标准 TO-252 封装的其他电子元件进行兼容安装。
    - 客户可通过官方网站或服务热线(400-655-8788)获取技术支持和维修服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品温度过高导致过热。
    - 解决方案:加强散热设计,确保适当的空气流通或添加外部散热片。
    - 问题:工作电流超过额定值。
    - 解决方案:调整电路设计,确保实际工作电流不超过产品最大额定值。

    总结和推荐


    6N10L-TN3-R N-Channel MOSFET 以其卓越的性能、可靠性和广泛的适用范围,在各种电力电子设备中表现出色。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的电力转换应用中。

6N10L-TN3-R-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

6N10L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6N10L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6N10L-TN3-R-VB 6N10L-TN3-R-VB数据手册

6N10L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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