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NCE60R900K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: NCE60R900K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE60R900K-VB

NCE60R900K-VB概述

    NCE60R900K N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NCE60R900K 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和电力转换领域。它的低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度使其特别适合服务器、通信设备、电源供应系统等高效率需求的应用场合。

    2. 技术参数


    - 主要电气特性
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):最大0.7Ω (VGS=10V, 25°C)
    - 栅极输入电容(Ciss):最大1470pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大36nC
    - 最大脉冲电流(IDM):100A
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 其他特性
    - 极低的栅极电荷(Qg)
    - 高重复脉冲耐受能力
    - 极低的反向恢复时间(trr)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通损耗和开关损耗:低RDS(on)和Qg特性确保了低导通损耗和开关损耗,适合高频率应用。
    - 高速开关性能:低输入电容(Ciss)和快速开关特性使得NCE60R900K 在高频电路中表现出色。
    - 高可靠性:通过了严格的测试标准,确保在恶劣环境中也能稳定工作。
    - 广泛的适用性:适用于多种高功率和高频率应用,如电源管理和照明控制等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:广泛应用于服务器和电信系统的电源供应单元,以及交流到直流变换器。
    - 照明系统:在高亮度放电灯和荧光灯驱动电路中表现优异。

    - 使用建议:
    - 散热设计:鉴于其较高的功率损耗,必须进行良好的散热设计以保证其长期稳定运行。
    - 驱动电路:为了最大限度地利用其快速开关特性,驱动电路的设计要合理,尤其是栅极驱动电阻的选择需要考虑优化。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCE60R900K 与标准的引脚布局兼容,可以轻松替换市场上现有的同类型器件。
    - 厂商支持:VBsemi 提供全面的技术支持和客户服务,包括产品选型指导、样片提供和技术文档下载等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现过压现象
    - 解决方案:增加外部缓冲电路,如吸收电容,以降低瞬态电压。
    - 问题2:导通电阻不稳定
    - 解决方案:确保所有焊接点良好接触,避免虚焊和不良连接。
    - 问题3:发热过高
    - 解决方案:改进散热设计,使用合适的散热器和风扇,确保器件周围空气流通。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE60R900K 是一款具有卓越性能和广泛应用前景的高性能N-Channel MOSFET。其低导通电阻和高速开关特性使其在多种高功率应用中表现出色。结合厂商提供的技术支持和优质服务,这款产品无疑是电源管理和电力转换应用的理想选择。因此,我们强烈推荐将NCE60R900K 应用于需要高效率和高可靠性的电子系统中。

NCE60R900K-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE60R900K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE60R900K-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE60R900K-VB NCE60R900K-VB数据手册

NCE60R900K-VB封装设计

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500+ ¥ 3.3111
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