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UK3019L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: UK3019L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK3019L-AE3-R-VB

UK3019L-AE3-R-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 60-V MOSFET(型号为UK3019L-AE3-R)。这是一款具有低阈值电压、低输入电容和快速开关速度特性的沟槽场效应晶体管。该产品主要用于数字逻辑接口(如TTL/CMOS)、驱动器(例如继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、存储器和晶体管)以及电池供电系统和固态继电器等领域。

    2. 技术参数


    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):60 V
    - 栅极阈值电压 \(V{GS(th)}\):1 V - 2.5 V
    - 栅体泄漏电流 \(IGSS\):±10 μA(\(V{DS} = 0 V, V{GS} = \pm 20 V\))
    - 零栅压漏极电流 \(IDSS\):≤1 μA(\(V{DS} = 60 V, V{GS} = 0 V\))
    - 开启状态下的漏极电流 \(ID(on)\):500 mA(\(V{GS} = 10 V, V{DS} = 7.5 V\))
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):2.8 Ω(\(V{GS} = 10 V, ID = 200 mA\))
    - 前向跨导 \(gfs\):100 mS
    - 输入电容 \(C{iss}\):25 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):5 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\):2.0 pF
    - 导通时间 \(td(on)\):20 ns
    - 关断时间 \(td(off)\):30 ns

    3. 产品特点和优势


    这款N-Channel MOSFET具有以下优势:
    - 低阈值电压:2 V(典型值),便于操作。
    - 低输入电容:25 pF,适合高速电路。
    - 快速开关速度:25 ns,确保高响应速度。
    - 低输入和输出泄漏电流,适用于精密应用。
    - 1200V ESD保护,提高可靠性。
    - 符合RoHS和无卤素标准,环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于各种逻辑接口、驱动器、电池供电系统及固态继电器。具体应用包括:
    - 直接逻辑级接口(如TTL/CMOS)
    - 继电器和电磁铁驱动
    - 灯泡和锤子控制
    - 显示器、存储器和晶体管控制
    使用建议:
    - 在设计时需注意散热,特别是在高温环境下。
    - 对于高速应用,需要特别关注输入和输出电容的影响。
    - 使用时要注意适当的栅极电阻以避免瞬时过冲。

    5. 兼容性和支持


    该产品与大多数逻辑接口和驱动器兼容,且已通过RoHS和无卤素认证。制造商提供了详细的技术支持文档和服务热线,确保用户能够及时获得帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解答: 选择合适的栅极电阻可减少开关过冲和振荡,通常可以参考制造商推荐的值或进行电路仿真。
    - 问题:在高温环境下如何保证稳定运行?
    - 解答: 在高温环境下,需要注意散热设计并监控工作温度,确保不超过最大额定值。
    - 问题:如果需要更高的电流,该如何调整?
    - 解答: 可考虑并联多个MOSFET以分担电流,同时需注意散热和电路布局设计。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBsemi公司的UK3019L-AE3-R MOSFET具备出色的性能和可靠性,尤其适用于高速逻辑接口和驱动器应用。其低功耗、快速开关能力和良好的环境适应性使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐在相关应用中使用此产品,但用户应根据具体应用需求进行适当的设计和测试。

UK3019L-AE3-R-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 300mA
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UK3019L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK3019L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK3019L-AE3-R-VB UK3019L-AE3-R-VB数据手册

UK3019L-AE3-R-VB封装设计

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