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UTT60N10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: UTT60N10-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT60N10-VB

UTT60N10-VB概述

    # UTT60N10 N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT60N10 是一款高性能 N-Channel MOSFET,专为高效率电源管理设计。它采用先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,能够在极端温度环境下(最高可达 175°C)稳定运行。这款 MOSFET 广泛应用于隔离式 DC/DC 转换器、开关电源及其他需要高功率密度的场合。
    主要功能:
    - 高耐压能力:100 V (D-S)
    - 极低的导通电阻(rDS(on) 最小至 0.017 Ω)
    - 高温操作支持(最高 175°C)
    应用领域:
    - 隔离式 DC/DC 转换器
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 通信设备

    技术参数


    以下列出了 UTT60N10 的关键技术和电气性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压(D-S) | V(BR)DSS 100 V |
    | 导通电阻(rDS(on)) 0.017@10V Ω |
    | 持续漏极电流 | ID | 70 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 60 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 355 W |
    | 工作温度范围 | TJ,Tstg | -55°C 至 +175°C
    | 热阻抗(Junction-to-Ambient) | RthJA | 40 °C/W |
    其他关键指标还包括输入电容、输出电容和反向传输电容等。

    产品特点和优势


    UTT60N10 具备以下显著优势:
    1. 高温耐受性:能在 175°C 下正常工作,适合恶劣环境条件下的应用需求。
    2. 低导通损耗:低至 0.017 Ω 的导通电阻显著降低功耗,提升系统效率。
    3. 快速开关特性:短的开关延迟时间和上升时间确保了更高的开关频率能力。
    4. 强可靠性:经过 100% Rg 测试,保障每颗器件的品质一致性。
    5. 环保合规:符合 RoHS 和无卤素标准,满足现代绿色制造要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在隔离式 DC/DC 转换器中作为主控开关管,提供高效的能源转换。
    - 用于大功率逆变器中实现高效能量管理。
    使用建议:
    - 建议在电路设计中预留一定的热缓冲区域以防止过热现象发生。
    - 结合 PCB 布局优化,尽量缩短引脚长度以减少寄生电感和电阻。
    - 对于高功率场景,合理分配器件的工作负载,避免长期满载运行。

    兼容性和支持


    UTT60N10 完全兼容主流 PCB 设计工具及标准封装 TO-220AB,便于集成到现有设计中。此外,VBsemi 提供全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),可解答有关产品安装、调试等问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答:根据实际应用需求调整栅极电阻值,通常推荐范围为 0.5-3.1 Ω。
    2. 问:长时间高功率工作会导致什么后果?
    - 答:可能导致内部温度过高,影响使用寿命。建议定期监测温度并采取散热措施。
    3. 问:器件出现异常发热怎么办?
    - 答:检查外部电路连接是否正确,必要时增加外部散热装置。

    总结和推荐


    综上所述,UTT60N10 是一款出色的 N-Channel MOSFET,具备卓越的性能表现和广泛的应用潜力。其超低导通电阻、优良的高温特性和紧凑封装使其成为众多工业领域的理想选择。如果您正在寻找一款高效能、高可靠性的功率管理解决方案,UTT60N10 绝对值得考虑!
    推荐指数:★★★★★

UTT60N10-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT60N10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT60N10-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT60N10-VB UTT60N10-VB数据手册

UTT60N10-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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