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WFF5N60C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: WFF5N60C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF5N60C-VB

WFF5N60C-VB概述

    WFF5N60C N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFF5N60C 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具备低门极电荷、增强型门极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力,是高效能开关电源及变频控制领域的理想选择。其额定电压为 650V,最大连续漏极电流可达 3.8A,适用于多种工业应用,如电源供应器、逆变器和电机驱动等。

    2. 技术参数


    以下是 WFF5N60C 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 2.5 Ω |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS 250 | µA |
    | 输入电容 | Ciss 1080 pF |
    | 输出电容 | Coss 177 pF |
    | 总门极电荷 | Qg 48 nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs 12 nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd 19 nC |
    | 连续漏极电流 | ID 3.8 A |
    | 最大功耗 | PD 30 | W |

    3. 产品特点和优势


    WFF5N60C 的主要特点和优势如下:
    - 低门极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强型耐受力:改善门极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力。
    - 全面表征参数:包括电容和雪崩电压、电流特性。
    - 符合 RoHS 规范:环保设计,适合各种行业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于直流到交流转换器(DC-AC)中的逆变器电路。
    - 在电动车(EV)充电站中作为开关元件。
    - 用于工业电机驱动系统中的功率转换器。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意 WFF5N60C 的温度系数和热阻抗,确保散热良好,防止过热。
    - 使用合适的栅极电阻(例如 RG = 25 Ω),以实现最佳性能。
    - 注意脉冲宽度和占空比的限制,确保不超过最大允许值。

    5. 兼容性和支持


    WFF5N60C 可与其他标准 TO-220 FULLPAK 封装的组件兼容,广泛应用于多种电子设备中。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和热线服务(400-655-8788),确保客户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定 WFF5N60C 的最佳工作温度?
    解决方案:参考数据表中的最大存储和操作温度范围(-55°C 到 +150°C),并根据具体应用调整散热措施。

    - 问题:如何避免脉冲电流超过极限?
    解决方案:严格控制脉冲宽度和占空比,避免长时间过载运行。

    7. 总结和推荐


    综合评估:WFF5N60C 具备低门极电荷、高可靠性和出色的温度稳定性,使其成为高性能开关电源和变频控制的理想选择。它不仅具有出色的电气性能,还符合环保标准,适合多种工业应用。
    推荐使用:强烈推荐 WFF5N60C 在需要高可靠性和稳定性的应用场合中使用,特别是在高压、高频和高温环境中。该产品值得用户考虑采用。

WFF5N60C-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF5N60C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF5N60C-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF5N60C-VB WFF5N60C-VB数据手册

WFF5N60C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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