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K2731T146-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: K2731T146-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2731T146-VB

K2731T146-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品为一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET,采用先进的TrenchFET技术制造。它广泛应用于DC/DC转换器、电源管理和电池充电电路中。该产品具有高效率和低损耗的特点,适用于各类电子设备中需要高性能开关的应用场合。

    2. 技术参数


    - 电压等级:最大漏源电压(VDS)为30V。
    - 电流能力:连续漏极电流(ID)为6.5A(TJ=25°C),脉冲漏极电流(IDM)可达25A。
    - 电阻参数:导通电阻(RDS(on))在VGS = 10V时为0.030Ω,在VGS = 4.5V时为0.033Ω。
    - 电容参数:输入电容(Ciss)在VDS = 15V、VGS = 0V时为335pF,输出电容(Coss)为45pF。
    - 热阻抗:最大结到环境热阻(RthJA)为90°C/W,最大结到脚(漏极)稳态热阻(RthJF)为60°C/W。
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围为-55°C至150°C。
    - 其他参数:零栅压漏极电流(IDSS)在VDS = 30V、VGS = 0V时为1µA,阈值电压(VGS(th))为0.7V至2.0V。

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:该产品经过100%栅极电阻测试,确保产品的质量和可靠性。
    - 环保标准:符合IEC 61249-2-21卤素标准和RoHS Directive 2002/95/EC要求,适用于各种电子设备。
    - 高效节能:采用先进的TrenchFET技术,实现低导通电阻和快速开关性能,减少功耗,提高能效。
    - 多功能性:可在多种电压和电流条件下稳定工作,适用于不同类型的电子设备。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:常见的应用场景包括DC/DC转换器、电池充电电路、电机驱动和开关电源。例如,在电源管理模块中,可以用于高效切换直流电,提高系统效率。
    - 使用建议:在选择外部元件时,应考虑MOSFET的工作环境和具体需求。根据手册提供的热阻抗参数,合理设计散热系统以确保MOSFET能在允许的温度范围内正常工作。此外,正确连接栅极和源极,确保MOSFET不会过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品具有良好的兼容性,可与其他常见的电子元器件和设备一起使用。建议在实际应用前与制造商确认具体细节。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、产品更新通知和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:检查散热系统的设计,确保足够的冷却措施。必要时可增加散热片或风扇以降低结温。
    - 问题2:MOSFET出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确保栅极驱动信号稳定。如发现问题可联系技术支持寻求进一步帮助。
    - 问题3:MOSFET导通电阻偏高。
    - 解决方案:检查MOSFET的接线是否正确,确保栅极驱动电压满足要求。如需进一步调整,可更换更高规格的MOSFET。

    7. 总结和推荐


    该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其高可靠性和多功能性,成为各类电子设备中的理想选择。无论是从技术参数还是应用范围来看,都表现出色。因此,强烈推荐此产品用于需要高效能和低损耗的应用场合。如果您需要更多详细信息或技术支持,欢迎随时联系我们。

K2731T146-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2731T146-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2731T146-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2731T146-VB K2731T146-VB数据手册

K2731T146-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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