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FIR5N60FG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FIR5N60FG-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FIR5N60FG-VB

FIR5N60FG-VB概述

    FIR5N60FG-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FIR5N60FG-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该MOSFET具有650V的漏源电压(VDS),适用于多种高电压电源转换和驱动应用。它的主要功能包括低栅极电荷(Qg)和改进的抗雪崩能力,使其在电力电子系统中表现出色。其典型应用领域包括电机控制、电源管理、逆变器和DC-DC转换器等。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 门源电压(VGS):±30V
    - 连续漏电流(TC VGS at 10 V):3.8A
    - 最大耗散功率(TC = 25°C):30W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):65°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):2.1°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):650V(ID = 250 µA)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0V~4.0V
    - 零门电压漏极电流(IDSS):25µA @ VDS = 650V, VGS = 0V
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):080 pF
    - 输出电容(Coss):1912 pF @ VDS = 1.0V
    - 反向传输电容(Crss):7.0 pF
    - 总栅极电荷(Qg):48 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):1 ns @ VDD = 325V
    - 关断延迟时间(td(off)):34 ns
    - 反向恢复时间(trr):493 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:这有助于简化驱动要求,减少功耗。
    - 增强的抗雪崩能力和动态dv/dt鲁棒性:提高器件的可靠性和使用寿命。
    - 全面的电容和雪崩电压/电流特性:保证在各种条件下稳定工作。
    - 符合RoHS标准:确保环保合规。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机控制:在需要高可靠性电机驱动的应用中表现优异。
    - 电源管理:可用于各类电源模块中,提高效率。
    - 逆变器和DC-DC转换器:提供高性能的电压转换能力。
    使用建议:
    - 确保散热设计充分,特别是在高温环境下长时间工作时。
    - 使用合适的驱动电路以减小开关损耗。
    - 避免超限工作条件,如过压或过流情况。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与标准的N沟道MOSFET驱动电路兼容。
    - 厂商提供技术支持,包括故障排查和设计咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:温度过高导致失效
    - 解决方案:加强散热设计,使用风扇或其他冷却装置。

    - 问题二:无法正常关断
    - 解决方案:检查驱动信号和电路接线是否正确,调整驱动电阻。

    - 问题三:输出电压不稳定
    - 解决方案:检查负载和电源稳定性,优化滤波电容。

    7. 总结和推荐


    FIR5N60FG-VB N-Channel MOSFET是一款高性能、可靠的电子元器件,适用于多种高压电源转换应用。其低栅极电荷、增强的鲁棒性及良好的热特性使其在市场上具有显著的竞争力。强烈推荐用于需要高可靠性、低损耗的场合。
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

FIR5N60FG-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FIR5N60FG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FIR5N60FG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FIR5N60FG-VB FIR5N60FG-VB数据手册

FIR5N60FG-VB封装设计

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