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FR430BTM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FR430BTM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FR430BTM-VB

FR430BTM-VB概述


    产品简介


    本产品为N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),主要型号为FR430B。这款MOSFET具备出色的低栅极电荷(Qg)特性和增强的栅极、雪崩及动态dv/dt耐久性。它完全经过了电容和雪崩电压、电流的特性测试,符合RoHS指令2002/95/EC的要求。FR430B适用于多种电力电子设备,如电机驱动、开关电源、通信设备和新能源汽车等领域,提供高效率的功率转换和控制。

    技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压(VDS): 650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 栅漏电荷(Qg): 15 nC (最大)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.95 Ω (VGS=10 V)
    - 最大连续漏极电流(ID): 5 A (TC = 25°C), 4 A (TC = 100°C)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 650 V
    - 栅源电压(VGS): ±30 V
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 120 mJ
    - 最大重复雪崩能量(EAR): mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt): 4.5 V/ns
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻(RthJA): - °C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC): -
    - 动态参数
    - 开启延时时间(td(on)): 18 ns
    - 关断延时时间(td(off)): 50 ns
    - 下降时间(tf): 30 ns

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg): 低栅极电荷使得驱动要求简单,减少了外部电路的复杂度。
    2. 增强的栅极、雪崩及动态dv/dt耐久性: 提高了产品的可靠性和耐用性。
    3. 全面的电容和雪崩测试: 确保产品在各种条件下均能稳定运行。
    4. RoHS合规: 符合环保标准,可广泛应用于各类工业设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机驱动系统: FR430B被用于电机驱动系统中,通过降低损耗来提高系统效率。
    2. 开关电源: 在开关电源设计中,FR430B作为关键部件,实现了高效的电源转换。
    3. 通信设备: 在通信设备中,FR430B可以用于DC/DC转换器,提升信号处理能力。
    使用建议
    1. 散热设计: 鉴于产品的高热负荷,需要合理设计散热片和散热路径以保证长时间工作的稳定性。
    2. 驱动电路优化: 针对低栅极电荷的特点,优化驱动电路设计以减少功耗和提高响应速度。
    3. 布局注意事项: 确保电路板布局合理,避免杂散电感,以减小寄生效应的影响。

    兼容性和支持


    FR430B兼容多种封装形式,包括TO-220AB、TO-252和TO-251等,便于不同的安装需求。公司提供详细的技术支持文档和售后维护服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何正确选择驱动电路电阻以优化开关性能?
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻(RG),以平衡开关时间和功耗。参考数据表中的参数进行计算。

    2. 问题: 在高温环境下,如何避免过热?
    - 解决方案: 优化散热设计,使用高效散热片并确保良好的气流循环。
    3. 问题: 如何确定产品是否适合特定应用?
    - 解决方案: 查看产品数据表和特性参数,确认产品的性能是否满足应用要求。如果不确定,可以联系技术支持团队获取专业建议。

    总结和推荐


    综上所述,FR430B是一款性能优越、应用广泛的N沟道功率MOSFET。其独特的低栅极电荷和增强的耐久性使其在众多应用中表现出色。无论是在电机驱动、开关电源还是通信设备领域,FR430B都能提供卓越的性能和可靠性。强烈推荐在设计需要高性能、高效率的电力电子设备时考虑使用FR430B。
    欢迎联系我们的客户服务热线400-655-8788,了解更多关于FR430B的信息和技术支持。

FR430BTM-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FR430BTM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FR430BTM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FR430BTM-VB FR430BTM-VB数据手册

FR430BTM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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