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NP90N04PUF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: NP90N04PUF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP90N04PUF-VB

NP90N04PUF-VB概述

    N-Channel 4V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 4V (D-S) MOSFET 是一种先进的电子元器件,属于TrenchFET®功率MOSFET系列。该产品主要应用于同步整流和电源供应等领域。其独特的设计使其在高效能电力转换中表现出色。

    2. 技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 4 | - | - | V |
    | 源漏极导通电阻 | RDS(on) | 0.0017 | 0.0025 | - | Ω (VGS=10V)|
    | 漏极连续电流 | ID | 120 | - | 150 | A |
    | 输入电容 | Ciss | - | 9000 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 650 | - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | 120 | 180 | - | nC |
    | 额定工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    N-Channel 4V (D-S) MOSFET 具备以下特点和优势:
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,显著提高了性能。
    - 高可靠性测试:所有产品都经过100% Rg和UIS测试,确保可靠性和稳定性。
    - 低RDS(on):典型值为0.0017Ω(VGS=10V),确保在高电流下的低损耗。
    - 高击穿电压:额定击穿电压为45V,适合多种电力应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:适用于高效率的开关电源设计,能够显著提升电源系统的整体效率。
    - 电源供应:广泛应用于服务器、通信设备、工业控制等领域的电源模块。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意选择合适的散热措施以确保器件正常工作。
    - 使用高精度测试仪器进行RDS(on)和Qg的测量,确保系统性能稳定。

    5. 兼容性和支持


    该产品与大多数现代电路板和电源系统兼容。厂商提供详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),可帮助客户解决各种技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题与解决方案:
    - 问题1:漏极连续电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接,确保所有接点无松动或接触不良。
    - 问题2:散热片过热。
    - 解决方案:增加散热片面积或改善散热方式,如使用风扇辅助散热。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 4V (D-S) MOSFET 是一款高性能的MOSFET,具备出色的稳定性和可靠性,特别适用于高效率电力转换系统。其独特的技术和广泛的适用性使其在市场上具有很高的竞争力。因此,我们强烈推荐在高要求的应用场景中使用该产品。

    本文基于VBsemi公司的技术手册编写,更多详细信息请参考公司官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

NP90N04PUF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 180A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP90N04PUF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP90N04PUF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP90N04PUF-VB NP90N04PUF-VB数据手册

NP90N04PUF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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