处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLI520A-VB

IRLI520A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: IRLI520A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLI520A-VB

IRLI520A-VB概述

    #

    产品简介


    本文档介绍的是IRLI520A-VB型N沟道100V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种电子元器件具有高电压隔离能力、低热阻和其他一系列出色的特性,广泛应用于电源转换、电机控制和其他电力电子系统中。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 持续漏电流(TC = 25 °C,VGS = 10 V):ID = 18 A;TC = 100 °C时为12 A
    - 脉冲漏电流(IDM):68 A
    - 线性降额系数:0.32 W/°C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):720 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):17 A
    - 重复雪崩能量(EAR):4.8 mJ
    - 最大功耗(TC = 25 °C):PD = 48 W
    - 峰值二极管恢复dv/dt:5.5 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 °C到+175 °C
    特性规格
    - 漏源击穿电压(VDS):100 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 V至3.0 V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100 nA
    - 零栅压漏电流(IDSS):25 µA
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10 V时为0.086 Ω
    - 输入电容(Ciss):1700 pF
    - 输出电容(Coss):560 pF
    - 反向转移电容(Crss):120 pF
    - 门电荷(Qg):72 nC
    - 栅源电荷(Qgs):11 nC
    - 栅极至漏极电荷(Qgd):32 nC
    - 导通延迟时间(td(on)):11 ns
    - 上升时间(tr):44 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):53 ns
    - 降落时间(tf):43 ns

    产品特点和优势


    IRLI520A-VB具备以下独特的功能和优势:
    1. 高电压隔离:其高电压隔离能力达到2.5 kVRMS,适用于高压电力系统,提高了系统的可靠性和安全性。
    2. 低热阻:低热阻有助于提高散热效率,延长使用寿命。
    3. 高电流处理能力:能承受高达68 A的脉冲漏电流,适合高功率应用。
    4. 宽温范围操作:可以在-55 °C到+175 °C的极端环境中稳定运行,满足严苛工业环境的需求。
    这些特点使其在电力电子系统中表现出色,尤其是在要求高性能和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    IRLI520A-VB常用于开关电源、直流-直流变换器、逆变器和电机驱动等应用。以开关电源为例,这种MOSFET可以用于提高转换效率并减少发热。使用时应注意散热设计,合理配置散热片或其他冷却措施。
    使用建议
    1. 电路布局:尽量减少引线长度和分布电感,确保接地平面的良好连接。
    2. 保护措施:添加合适的过流保护和瞬态保护电路,避免过载损坏。
    3. 散热管理:根据负载情况选择合适的散热片尺寸和位置,以保证良好的散热效果。

    兼容性和支持


    IRLI520A-VB是一种标准封装(TO-220 Fullpak),易于安装和更换。该产品完全符合RoHS标准,并且可提供无铅版本。厂商提供了详尽的技术支持和维护文档,确保客户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何进行散热设计?
    - 答:建议在散热片上涂抹导热硅脂,并确保散热片的接触面积足够大。另外,可以增加风扇辅助散热。

    2. 问:使用过程中发现功耗异常增大怎么办?
    - 答:检查电路布局是否存在问题,特别是是否存在寄生电感和电容,这可能导致额外的损耗。重新校准电路参数并适当调整驱动信号的频率和电压等级。
    3. 问:如何防止过电流烧毁?
    - 答:建议加入过流保护电路,并合理设置限流电阻。当电流超过设定阈值时,及时切断电源供应。

    总结和推荐


    总体而言,IRLI520A-VB是一款高性能、高可靠性、适用于多种电力电子应用的N沟道MOSFET。其优秀的电气特性和宽温范围操作能力使其成为市场上的佼佼者。如果您需要一个能够在严苛环境下稳定工作的MOSFET,强烈推荐选择IRLI520A-VB。通过合理的电路设计和散热管理,它将在您的应用中发挥出最大的效能。

IRLI520A-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLI520A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLI520A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLI520A-VB IRLI520A-VB数据手册

IRLI520A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336