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PHB37N06LT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: PHB37N06LT-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHB37N06LT-VB

PHB37N06LT-VB概述

    PHB37N06LT N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    PHB37N06LT 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于表面安装,提供无卤素材料。它符合 RoHS 规范,并适用于多种电子产品中,如电源管理、电机控制、汽车电子等。PHB37N06LT 具备低门限电压、快速开关和逻辑电平门驱动等功能,适合需要高性能和高可靠性的场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 持续漏极电流(25°C) | ID | 50 | - | - | A |
    | 瞬态漏极电流 | IDM | - | - | 200 | A |
    | 线性降额因子 | - | - | 1.0 | - | W/°C |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 400 | mJ |
    | 最大功耗(25°C) | PD | - | - | 150 | W |
    | 峰值二极管恢复 | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 环保材料:采用无卤素材料,符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 规范,适用于对环保要求较高的应用。
    2. 快速开关:具备快速开关特性,响应时间短,适合高频应用。
    3. 逻辑电平门驱动:能够接受标准逻辑电平输入,简化设计和布线。
    4. 高可靠性:最大结温高达 175°C,适用于极端环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    PHB37N06LT 在开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景中得到广泛应用。具体应用案例包括:
    - 开关电源:用于功率转换,实现高效能的电力传输。
    - 电机驱动:控制电机的启动、停止和速度调节。
    - 电池管理系统:保护电池免受过载和短路损坏。
    使用建议:
    1. 确保良好的散热设计,以避免过热。
    2. 采用低电感布局,减少寄生效应。
    3. 注意 PCB 布局,确保接地平面的良好连接。

    兼容性和支持


    PHB37N06LT 可以与标准 PCB 进行焊接,并且适用于常见的表面安装工艺。制造商提供详细的技术文档和支持,包括焊接推荐、电路布局指南等,以便客户进行快速部署。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 温度过高导致设备无法正常运行 | 确保散热良好,增加散热片或风扇。 |
    | 开关速度慢 | 检查门极驱动电阻是否合理,降低电阻值。 |
    | 电流限制 | 调整外部电路设计,增加电流检测电阻。 |

    总结和推荐


    PHB37N06LT N 沟道 MOSFET 是一款性能优异、适用于多种应用领域的电子元器件。其独特的无卤素材料、快速开关特性和逻辑电平门驱动能力使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高性能、可靠性和环保材料的应用,我们强烈推荐使用 PHB37N06LT。

PHB37N06LT-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PHB37N06LT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHB37N06LT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHB37N06LT-VB PHB37N06LT-VB数据手册

PHB37N06LT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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