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IPP60R280E6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: IPP60R280E6-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R280E6-VB

IPP60R280E6-VB概述

    IPP60R280E6-VB:650V N-Channel Super Junction MOSFET

    产品简介


    IPP60R280E6-VB是一款高性能的650V N-Channel Super Junction MOSFET(超级结MOS场效应晶体管),适用于多种电子设备。它的主要特点是低导通电阻、低门极电荷和较低的反向恢复时间,使其成为电信、照明、消费电子、工业设备和可再生能源应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.19Ω(VGS=10V)
    - 最大门极电荷 (Qg): 106nC(VGS=10V)
    - 最大门极电容 (Ciss): 2322pF
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散:208W
    - 最高结温:150°C
    - 反向恢复时间 (trr): 160ns
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 门极源极电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (TJ=150°C): 2A(VGS=10V)

    产品特点和优势


    IPP60R280E6-VB具有以下几个显著的优势:
    - 低导通损耗:其导通电阻仅为0.19Ω,减少了导通损耗。
    - 低门极电荷:门极电荷仅为106nC,有效降低了开关损耗。
    - 低反向恢复时间:其反向恢复时间为160ns,提高了电路的效率。
    - 优秀的热稳定性:在高温环境下仍能保持良好的性能。
    这些特性使得IPP60R280E6-VB在多种应用中表现出色,特别是在需要高效、低损耗的场合中表现尤为突出。

    应用案例和使用建议


    IPP60R280E6-VB广泛应用于电信、照明、消费电子、工业和可再生能源等领域。具体应用场景包括服务器和电信电源、高强度放电(HID)灯、荧光灯镇流器、ATX电源、焊接设备、电池充电器、光伏逆变器和开关模式电源等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到其高频开关特性,需合理布局以减少寄生电感的影响。
    - 在极端工作条件下,建议增加散热措施以确保稳定运行。
    - 对于需要高效率的应用场景,可以利用其低导通电阻和低开关损耗的特性进行优化设计。

    兼容性和支持


    IPP60R280E6-VB具备广泛的兼容性,能够与其他常见的电子元器件配合使用。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,包括详细的产品文档和技术支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 发热问题
    - 解决方法:加强散热措施,如增加散热片或采用水冷散热。
    2. 反向恢复时间长
    - 解决方法:通过调整驱动电路参数优化性能。
    3. 噪声干扰
    - 解决方法:增加屏蔽措施并优化电路布局以降低干扰。

    总结和推荐


    IPP60R280E6-VB以其出色的性能和广泛的应用场景,在电子设备中表现出了极高的性价比。其低导通电阻、低开关损耗和优良的热稳定性,使其在多个行业中具有显著的竞争优势。综上所述,强烈推荐使用IPP60R280E6-VB作为高效、可靠的选择。

IPP60R280E6-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP60R280E6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP60R280E6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP60R280E6-VB IPP60R280E6-VB数据手册

IPP60R280E6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 9.718
500+ ¥ 8.9405
1000+ ¥ 8.5518
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