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LML6402G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: LML6402G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LML6402G-VB

LML6402G-VB概述


    产品简介


    产品名称:LML6402G P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    产品类型:功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 作为开关器件,用于负载切换和PA切换。
    - 可用于DC/DC转换器等电力电子应用中。
    应用领域:
    - 负载开关
    - 功率放大器开关
    - 直流到直流转换器

    技术参数


    - 额定电压:VDS (漏源电压) = 20V
    - 漏源导通电阻:RDS(on)
    - 在VGS = -10V时为0.035Ω
    - 在VGS = -4.5V时为0.043Ω
    - 在VGS = -2.5V时为0.061Ω
    - 连续漏极电流:ID
    - TC = 25°C时为-5A
    - TC = 70°C时为-4.8A
    - 脉冲漏极电流:IDM = -18A
    - 静态阈值电压:VGS(th)
    - 范围在-0.5V至1.5V之间
    - 零门电压漏极电流:IDSS
    - VDS = -20V, VGS = 0V时为-1μA
    - 输入电容:Ciss = 835pF
    - 输出电容:Coss = 180pF
    - 反向传输电容:Crss = 155pF
    - 最大功耗:PD
    - TC = 25°C时为2.5W
    - TC = 70°C时为1.6W

    产品特点和优势


    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。
    - 卓越性能:采用了TrenchFET®技术,提供了低导通电阻和高耐压能力。
    - 可靠性保障:100% Rg测试确保产品质量。
    - RoHS合规性:符合RoHS Directive 2002/95/EC的要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在负载开关电路中,LML6402G能够有效地控制电流流动。
    - 在功率放大器中,它能够实现高效的电源开关操作。
    使用建议:
    - 使用LML6402G时,应注意其最大工作温度限制为150°C,以避免长期高温运行导致的损坏。
    - 在高温环境下工作时,确保使用适当的散热措施,例如加装散热片或使用风扇进行强制冷却。

    兼容性和支持


    - 兼容性:LML6402G适用于多种封装形式,如SOT-23(TO-236)。
    - 技术支持:厂商提供全面的技术支持和维护服务,可以通过服务热线400-655-8788咨询具体问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作后,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:安装散热片并增加散热面积;使用风扇进行强制散热。
    - 问题2:漏极电流不稳定。
    - 解决方案:检查门极电压是否在规定范围内,调整电路参数确保门极驱动信号稳定。
    - 问题3:导通电阻过高。
    - 解决方案:更换门极驱动电压较高的MOSFET型号,或降低工作环境温度。

    总结和推荐


    总体评价:
    LML6402G P-Channel 20-V (D-S) MOSFET具备出色的性能,非常适合于负载开关和PA开关等电力电子应用。其高效率、环保特性和可靠的性能使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐意见:
    强烈推荐使用LML6402G。在选择合适的电子元件时,该产品因其卓越的性能、可靠性和适用性成为最佳选择之一。

LML6402G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

LML6402G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LML6402G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LML6402G-VB LML6402G-VB数据手册

LML6402G-VB封装设计

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