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N312AS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263\n适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
供应商型号: N312AS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N312AS-VB

N312AS-VB概述


    产品简介


    N312AS是一款N沟道30V(D-S)175°C的MOSFET晶体管,采用了先进的TrenchFET®技术,具有低热阻封装和优秀的电性能。该产品适用于各种高要求的应用场景,如电源管理、电机驱动和工业控制等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V时:0.006 Ω
    - VGS = 4.5 V时:0.008 Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C时:70 A
    - TC = 125 °C时:50 A
    - 配置: 单管
    - 封装: TO-220AB/TO-263
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏极电流 (ID): 70 A (TC = 25 °C), 50 A (TC = 125 °C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 33 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 54 mJ
    - 最大功耗 (PD): 71 W (TC = 25 °C), 23 W (TC = 125 °C)
    - 工作温度范围: -55 °C 至 +175 °C
    - 热阻率:
    - 结到环境 (RthJA): 50 °C/W (PCB安装)
    - 结到外壳 (RthJC): 2.1 °C/W

    产品特点和优势


    N312AS的主要特点是采用了TrenchFET®技术,确保了出色的电气性能和低热阻。此外,它通过100% Rg和UIS测试,保证了高度的可靠性和耐用性。该MOSFET还具备良好的动态特性和较高的零栅源漏电流 (IDSS),使其在恶劣环境中也能稳定运行。其宽泛的工作温度范围(-55 °C 至 +175 °C)使其适用于各种极端条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N312AS适用于多种场合,例如电源转换器、马达驱动器和太阳能逆变器。由于其出色的耐高温性能和可靠的雪崩耐受能力,它特别适合在高功率和高可靠性要求的系统中使用。
    使用建议
    为了获得最佳性能,建议在使用N312AS时遵循以下几点:
    1. 散热设计: 选择合适的散热片以降低工作温度,确保在高温环境下能正常工作。
    2. 栅极驱动: 确保栅极驱动信号的稳定性,避免过高的栅源电压导致器件损坏。
    3. 电路布局: 在PCB设计上合理安排,确保低噪声和低寄生效应,提高整体系统的效率。

    兼容性和支持


    N312AS与现有的大多数电路板设计兼容,可以在广泛的电气和机械接口下工作。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的用户指南、应用笔记和在线技术支持,以便于客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 优化栅极驱动电阻 (Rg),降低寄生电容的影响,以提高开关速度。
    2. 问题: 过热现象
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如增大散热片面积或改进散热路径,以降低器件的热应力。
    3. 问题: 雪崩耐受性差
    - 解决方案: 严格按照额定值操作,特别是在雪崩条件下,避免超出额定的电流和电压限制。

    总结和推荐


    总体而言,N312AS是一款高性能的N沟道MOSFET,具备出色的电气特性和可靠性。其宽广的工作温度范围和优异的热管理能力使其成为许多高功率应用的理想选择。建议在需要高可靠性和高效率的应用场景中使用该产品。如果您对电子元件的选型和应用有任何疑问,欢迎联系我们的技术支持团队,我们将竭诚为您服务。

N312AS-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.0V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N312AS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N312AS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N312AS-VB N312AS-VB数据手册

N312AS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.5558
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