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K16G60W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: K16G60W-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K16G60W-VB

K16G60W-VB概述

    K16G60W N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K16G60W 是一款高性能的 N-通道 650V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET,适用于广泛的工业和消费类应用。其核心特点包括极低的反向恢复时间(trr)、栅极电荷(Qg)和关断电流(IRR),从而实现高效的开关性能和低功耗运行。这款器件广泛应用于服务器与电信电源、焊接、LED 照明、ATX 电源、电池充电器及太阳能光伏逆变器等领域。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术规格摘要:
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):0.19 Ω(@ 25°C,VGS = 10V)
    - 总栅极电荷(Qg):106 nC
    - 输入电容(Ciss):2322 pF
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):60 A
    - 最大结温(TJ,max):150°C
    - 工作温度范围(TJ,Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):367 mJ
    封装形式为 D2PAK(TO-263),提供高散热性能和可靠性。

    3. 产品特点和优势


    - 高效率开关性能:得益于超低的 Qg 和 trr,器件能够显著降低开关损耗,提升整体效率。
    - 快速恢复性能:极低的 Qrr 和 IRRM 增强了其抗噪声能力,在高频应用中表现出色。
    - 高可靠性设计:雪崩耐受能力确保了在恶劣条件下的稳定性。
    - 优化布局的封装:低热阻封装提升了散热效率,适合紧凑设计需求。
    这些特性使其成为绿色能源、工业控制和高性能电源管理的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    1. 太阳能光伏逆变器:K16G60W 可用于高效 DC-DC 转换电路,减少开关损耗并提升转换效率。
    2. 工业焊接设备:其高雪崩能量特性非常适合大电流脉冲应用场景。
    3. 高亮度照明电源:极低的开关损耗有助于 LED 驱动器的设计优化。
    使用建议:
    - 在设计开关电路时,应避免过高的寄生电感,以减少开关瞬态对性能的影响。
    - 考虑到大电流应用,需要合理规划散热路径并安装适当的热管理措施。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K16G60W 具备广泛的引脚兼容性,可直接替代现有设计中的同类器件。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档、应用指南及样品支持,帮助客户加速开发周期。
    服务热线:400-655-8788

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 原因 | 解决方法 |
    |
    | 开关损耗过高 | 栅极电荷过高 | 优化驱动电路,降低 Qg |
    | 雪崩模式启动失败 | 雪崩耐受不足 | 检查设计是否符合 EAS 规格 |
    | 温度过热报警 | 散热设计不合理 | 改善 PCB 布局,增加散热片 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:K16G60W 展现出卓越的开关性能、高效率和可靠的设计特性,是现代电力电子领域的理想选择。其低损耗、低成本及灵活的应用适配性,使其在市场上具有强大的竞争力。
    推荐使用:强烈推荐在需要高效能和可靠性要求较高的场景中使用该器件,尤其是在太阳能逆变器、LED 驱动和高精度工业设备等领域。
    联系制造商获取更多技术支持和服务信息:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

K16G60W-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K16G60W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K16G60W-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K16G60W-VB K16G60W-VB数据手册

K16G60W-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.4954
100+ ¥ 9.718
500+ ¥ 8.9405
800+ ¥ 8.5518
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