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HUFA76423S3ST-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: HUFA76423S3ST-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76423S3ST-VB

HUFA76423S3ST-VB概述

    # HUFA76423S3ST-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HUFA76423S3ST-VB 是一款 N 沟道增强型 60V 超低导通电阻(RDS(on))功率 MOSFET,专为高效率开关应用设计。产品采用 D2PAK (TO-263) 封装形式,适合表面贴装,符合无卤素和 RoHS 标准。该器件具有快速开关性能、逻辑电平门极驱动能力和动态 dv/dt 额定值,广泛应用于直流-直流转换器、电机控制、LED 驱动电路等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 ±10 | V |
    | 持续漏电流 | ID | - | 50 | 36 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | 200 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.032 | - | 0.035 | Ω |
    | 动态 dv/dt 额定值 | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    其他关键指标包括:
    - 输入电容(Ciss):3000 pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):200 pF(典型值)
    - 总栅极电荷(Qg):66 nC(最大值)

    产品特点和优势


    独特功能:
    1. 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,环保可靠。
    2. 逻辑电平门极驱动:简化电路设计,降低功耗。
    3. 快速开关性能:优异的动态 dv/dt 额定值和超低开关损耗。
    4. 高可靠性:符合 RoHS 指令,支持高温运行(最高至 175°C)。
    市场竞争力:
    - 出色的低导通电阻 RDS(on),提升系统效率。
    - 高重复脉冲能力,适用于高频工作场景。
    - 高速开关特性,广泛适配现代电子设备需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    1. 直流-直流转换器:作为同步整流管,减少开关损耗。
    2. 电机驱动器:提供快速切换以实现高效运行。
    3. LED 驱动电路:高效率与低热量损耗的结合使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 为了优化散热性能,确保 PCB 设计合理并增加热导通孔。
    - 在使用过程中需注意避免超出绝对最大额定值,特别是在高电流脉冲条件下。
    - 选择适当的栅极电阻(Rg),以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    兼容性:HUFA76423S3ST-VB 支持多种标准 PCB 和焊接工艺,包括 SMT 表面贴装技术,与主流电路板和控制器兼容。
    支持服务:VBsemi 提供详尽的技术文档、样品申请及售后支持。如有疑问可拨打服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过温现象 | 检查散热片安装是否牢固,增加散热措施。|
    | 阈值电压不准确 | 确认测试条件是否符合规范,重新校准。 |
    | 栅极噪声干扰严重 | 添加栅极去耦电容,减少电磁干扰影响。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    HUFA76423S3ST-VB 在性能、可靠性和适用性方面表现出色,是一款面向高效开关应用的理想器件。其低导通电阻、高开关速度和绿色环保设计使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐使用场景:
    - 适用于高频开关电源、电机驱动和 LED 驱动领域。
    - 强烈推荐用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。
    如果您正在寻找一款高效、可靠的功率 MOSFET,这款产品无疑是最佳选择之一!

HUFA76423S3ST-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUFA76423S3ST-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76423S3ST-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76423S3ST-VB HUFA76423S3ST-VB数据手册

HUFA76423S3ST-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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起订量: 10 增量: 800
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型号 价格(含增值税)
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