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QM04N65F1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: QM04N65F1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM04N65F1-VB

QM04N65F1-VB概述

    QM04N65F1 N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

    1. 产品简介


    QM04N65F1 是一款 N-通道 650V 功率 MOSFET,主要用于电源转换、电机控制、工业自动化等领域。该器件具有低栅极电荷和高可靠性的特点,适合各种高功率密度的应用场景。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 零门限电压漏电流 (IDSS): -25 µA(VDS = 650V, VGS = 0V)
    - 管体二极管正向电流 (ISM): 21A
    - 最大功率耗散 (PD): 30W(TC = 25°C)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 1080 pF
    - 输出电容 (Coss): 177 pF
    - 转移电容 (Crss): 7.0 pF
    - 门电荷 (Qg): 48 nC
    - 门源电荷 (Qgs): 12 nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 19 nC
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC): 2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:减少驱动要求,提高能效。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性:提高器件的可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:确保在不同工作条件下的稳定表现。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保标准合规,适用于全球市场。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换:在开关电源中作为开关元件,利用其低栅极电荷特性提高效率。
    - 电机控制:在变频器中用于驱动电机,保证系统稳定运行。
    - 工业自动化:在工业自动化设备中作为关键的电力控制元件,确保系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,避免温度超过最大额定值。
    - 设计电路时,考虑电路布局的低杂散电感和接地平面,以减少信号干扰和噪声。

    5. 兼容性和支持


    QM06N65F1 采用 TO-220 FULLPAK 封装,易于安装和更换。制造商提供详细的技术文档和客户服务支持,确保用户在设计和应用过程中得到及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高电流条件下工作时温度过高?
    - A: 使用散热片或风扇进行有效散热,确保设备正常工作。
    - Q: 如何降低栅极电荷的影响?
    - A: 使用低栅极电阻和适当的门驱动电路来降低栅极电荷的影响。
    - Q: 设备在启动时出现过压情况?
    - A: 检查电路设计,确保保护电路(如齐纳二极管)正常工作。

    7. 总结和推荐


    QM04N65F1 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 MOSFET,适用于多种高功率密度的应用。其低栅极电荷和增强的耐受性使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐此产品用于需要高效、可靠的电力控制应用中。购买和使用时,请注意遵循厂家的技术文档和安全指南,以确保最佳性能和安全性。

QM04N65F1-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM04N65F1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM04N65F1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM04N65F1-VB QM04N65F1-VB数据手册

QM04N65F1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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