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FDP10N60NZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
供应商型号: 14M-FDP10N60NZ-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDP10N60NZ-VB

FDP10N60NZ-VB概述

    FDP10N60NZ-VB N-Channel 650V Power MOSFET

    产品简介


    FDP10N60NZ-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其设计旨在满足服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及各种照明系统的需求,如高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器。此外,它还广泛应用于工业控制领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS=10V时为典型值
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值43nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大值2200pF
    - 输出电容 (Coss):
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 5nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 22nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 45A
    - 最大反向恢复时间 (trr): 345ns
    - 最高工作温度 (TJ): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 有助于减少开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少驱动器所需的能量。
    - 低RDS(on): 降低导通时的损耗。
    - 耐雪崩击穿 (UIS): 提高电路可靠性。
    - 快速开关特性: 支持高频应用。

    应用案例和使用建议


    FDP10N60NZ-VB 在多种应用中表现优异,例如:
    - 服务器和电信电源: 由于其低损耗特性,适合用于提高效率。
    - SMPS和PFC: 由于快速开关特性,可显著降低功耗。
    - 工业应用: 如电机驱动和变频器,因其耐高温和可靠性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保合适的栅极驱动电阻,以避免过高的Qg导致开关速度下降。
    - 考虑散热管理,以防止温度过高影响性能和寿命。

    兼容性和支持


    FDP10N60NZ-VB 与大多数标准电源拓扑结构兼容,包括但不限于半桥和全桥配置。VBsemi提供详尽的技术支持和维修服务,包括详细的文档和技术指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,必要时使用散热片或散热器。
    - 问题2: 导通电阻异常增加。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确认VGS电压达到规格要求。

    总结和推荐


    FDP10N60NZ-VB凭借其低导通电阻、低栅极电荷及快速开关特性,在众多电源转换应用中表现出色。它适用于需要高效、可靠电力转换的场合。总体来说,这是一款值得推荐的产品,尤其是在对性能有严格要求的应用中。

FDP10N60NZ-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDP10N60NZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDP10N60NZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDP10N60NZ-VB FDP10N60NZ-VB数据手册

FDP10N60NZ-VB封装设计

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10+ ¥ 4.6442
30+ ¥ 4.3841
100+ ¥ 3.861
1000+ ¥ 3.7154
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