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FZ44S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: FZ44S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FZ44S-VB

FZ44S-VB概述

    FZ44S-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    FZ44S-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-通道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET 主要用于各种电力转换和控制应用,如电源管理、电机驱动、LED照明及电动汽车等领域。它采用表面贴装封装(D2PAK,TO-263),方便在现代电子电路板上集成。FZ44S-VB符合无卤素(根据IEC 61249-2-21定义)、RoHS(欧盟指令2002/95/EC)要求,适用于环保且高可靠性需求的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60 V
    - 连续漏极电流(ID, TC=25°C): 50 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 最大耗散功率(PD, TC=25°C): 150 W
    - 静态阈值电压(VGS(th)): 1.0 V 至 3.0 V
    - 反向恢复峰值电压(dV/dt): 4.5 V/ns
    - 导通电阻(RDS(on),VGS=10V, ID=21A): 0.032 Ω
    - 导通电阻(RDS(on),VGS=4.5V, ID=15A): 0.035 Ω
    - 栅极电荷(Qg,VGS=5V, ID=51A, VDS=48V): 66 nC
    - 输出电容(Coss): 1000 pF
    - 结到壳热阻(RthJC): 1.0 °C/W
    - 结到环境热阻(RthJA): 62 °C/W(PCB安装时为40 °C/W)
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:FZ44S-VB 具有低至66 nC的栅极电荷,使得在高频开关应用中更加节能高效。
    - 高可靠性:采用无卤素材料,符合RoHS标准,确保长期可靠运行。
    - 快速开关能力:具备快速开关特性,减少能量损耗,提高整体系统效率。
    - 逻辑级门驱动:可直接与逻辑电路兼容,简化设计流程。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理:FZ44S-VB 可用于AC-DC转换器,以提高转换效率。
    2. 电机驱动:在直流电机驱动器中,实现高效的电流控制。
    3. LED照明:用于驱动LED灯条,确保稳定和高效的电流控制。
    使用建议:
    - 在高频率开关操作中,建议增加散热措施,以防止过热。
    - 确保电路布局时尽量减少寄生电感,可以有效提升性能。
    - 对于涉及大电流的操作,考虑使用散热片或其他冷却装置来降低结温。

    兼容性和支持


    FZ44S-VB 支持与大多数标准表面贴装设备兼容,可在不同类型的电路板上安装使用。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品培训和技术文档下载,确保客户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在使用过程中发现设备温度过高。
    - 解决办法:检查散热措施是否到位,考虑使用更大的散热片或添加外部风扇。
    - 问题:切换时出现不稳定现象。
    - 解决办法:调整电路中的RC网络参数,优化开关波形的上升和下降时间。

    总结和推荐


    FZ44S-VB是一款性能优异、适应广泛的应用需求的N-通道60V MOSFET。其卓越的开关性能、低栅极电荷、以及高效的散热设计使其成为众多电力转换和控制应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能和高可靠性的客户。
    本手册提供了对FZ44S-VB N-Channel MOSFET的详尽描述,涵盖了其技术规格、应用案例及使用建议。希望通过这份资料,您可以更好地了解和应用此产品。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

FZ44S-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FZ44S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FZ44S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FZ44S-VB FZ44S-VB数据手册

FZ44S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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