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K2499-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: K2499-Z-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2499-Z-VB

K2499-Z-VB概述

    K2499-Z-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2499-Z-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品采用先进的TrenchFET技术,主要用于电源管理和控制电路。它的主要功能是作为开关或放大器,在各种电力电子应用中表现卓越。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 60V
    - 最大漏极电流 (ID): 120A (连续), 350A (脉冲)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10V 和 ID = 30A 条件下为 4mΩ
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA (在 VDS = 0V, VGS = ±20V 条件下)
    - 输入电容 (Ciss): 7000pF (在 VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz 条件下)
    - 热阻抗 (RthJA): 40°C/W (当安装在1平方英寸FR4板上时)
    - 最大功率耗散 (PD): 220W (在 Tc = 25°C 条件下)

    产品特点和优势


    1. 高效能TrenchFET技术:能够提供低导通电阻和高效率,减少功耗和发热量。
    2. 低热阻封装:有助于提高散热性能,增强器件可靠性。
    3. 100% Rg和UIS测试:确保产品的一致性和可靠性。
    4. 广泛的应用温度范围:从-55°C到+175°C,适用于多种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    K2499-Z-VB MOSFET 广泛应用于各类电源管理、电机驱动、电池充电和负载切换等场景。对于需要高电流和低导通电阻的应用,这款MOSFET是一个理想选择。使用建议如下:
    1. 在高频应用中,应注意输入和输出电容的选择以减少寄生效应。
    2. 选择合适的PCB布局以最大化散热效果。
    3. 对于持续大电流应用,建议并联使用多个器件以分散热量。

    兼容性和支持


    K2499-Z-VB 采用TO-263封装,可以方便地与标准电路板和其他元件集成。台湾VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:确保适当的散热设计,必要时使用散热片或风扇。
    2. 栅极电压不稳定:使用合适的栅极驱动器并确保良好的电源供应。
    3. 过流保护:在电路设计中加入适当的保险丝或断路器。

    总结和推荐


    K2499-Z-VB N-Channel 60V MOSFET凭借其高效的TrenchFET技术和出色的性能参数,成为电源管理领域的优秀选择。其低导通电阻和高电流承载能力使其适用于多种高要求的应用场景。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和设计师们。
    通过以上全面的技术解析,我们可以看到K2499-Z-VB不仅在技术参数上表现出色,而且在实际应用中也具备很高的灵活性和稳定性。因此,它是一款值得信赖的高性能MOSFET。

K2499-Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 150A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2499-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2499-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2499-Z-VB K2499-Z-VB数据手册

K2499-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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