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K4096LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K4096LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4096LS-VB

K4096LS-VB概述

    K4096LS-VB 650V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4096LS-VB 是一款适用于多种电力转换应用的 N-Channel 650V(D-S)功率 MOSFET。这款 MOSFET 主要用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及各种照明系统,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯球。此外,它还广泛应用于工业领域,提供高效能和可靠性的电子元件。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):3-5V
    - 漏极-源极饱和电流(ID):12A @ TC = 25°C,9.4A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 零门电压漏极电流(IDSS):1μA @ VDS = 650V, VGS = 0V, TJ = 125°C
    - 漏极-源极通态电阻(RDS(on)):0.113Ω @ VGS = 10V, ID = 8A
    - 最大功率耗散(PD):取决于环境温度和散热条件
    - 电容特性:
    - 输入电容(Ciss):4nF @ VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz
    - 输出电容(Coss):22nF
    - 反向传输电容(Crss):未提供
    - 栅极充电特性:
    - 总栅极电荷(Qg):43nC @ VGS = 10V
    - 栅极-源极电荷(Qgs):5nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):22nC
    - 开关时间特性:
    - 导通延迟时间(td(on)):13ns @ VDD = 520V, ID = 8A, VGS = 10V, Rg = 9.1Ω
    - 关断延迟时间(td(off)):81ns
    - 下降时间(tf):25ns
    - 热阻率:
    - 最大结点至环境热阻(RthJA):60°C/W
    - 最大结点至外壳(漏极)热阻(RthJC):0.8°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗特性:低门级电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),使开关和导通损耗减少,实现高效能。
    - 坚固耐用:具有重复冲击能量额定值(UIS),确保高可靠性。
    - 简化设计:由于低功耗特性,可以降低整体系统复杂度和成本。
    - 宽温范围:-55°C 到 +150°C 的工作温度范围,确保在极端条件下也能正常运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应系统:利用其高耐压和低损耗特性,可以在高压环境下稳定运行,提高系统效率。
    - 工业照明:HID 和荧光灯的应用中,能够有效驱动高功率灯具,保证亮度的同时降低能耗。
    使用建议:
    - 环境选择:在极端温度环境下使用时,应注意系统的散热设计,以保持 MOSFET 在安全温度范围内运行。
    - 电路布局:为减小寄生电感,建议采用低电感布线设计,并配备良好的接地平面。
    - 电源管理:在使用过程中需注意避免大电流冲击和过高的电压波动,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K4096LS-VB MOSFET 可与常见的电源管理和驱动电路兼容,适用于广泛的电力转换系统。
    - 技术支持:由台湾 VBsemi 提供技术支持,确保在使用过程中遇到问题时能够及时获得帮助。可通过其服务热线 400-655-8788 联系到相关技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何避免高温损坏?
    - A:确保安装良好的散热装置,例如散热片或散热风扇,并遵循厂商提供的最高温度限制。

    - Q:如何进行正确的栅极驱动?
    - A:使用适当的栅极电阻(如 9.1Ω),并根据需要调整驱动电压和电流,以保证最佳开关性能。

    7. 总结和推荐


    总结:
    K4096LS-VB MOSFET 凭借其低损耗、高可靠性、宽工作温度范围等特性,在各类电力转换应用中表现出色。它特别适合用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统,广泛应用于工业、电信和照明等领域。
    推荐:
    鉴于其优秀的性能和广泛应用,强烈推荐在高要求的电力转换系统中选用 K4096LS-VB。通过合理的设计和使用建议,能够最大化发挥其潜力,满足严苛的应用需求。

K4096LS-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4096LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4096LS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4096LS-VB K4096LS-VB数据手册

K4096LS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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