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K3408-T2B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: K3408-T2B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3408-T2B-A-VB

K3408-T2B-A-VB概述


    产品简介


    产品名称: N-Channel 60-V MOSFET (型号: K3408-T2B-A)
    产品类型: 电子元器件 - 场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:
    - 高电流开关能力:提供大电流开关,适用于电池切换和直流转换。
    - 低导通电阻:有效降低功耗,提高效率。
    - 快速开关时间:响应速度快,有助于提高系统效率和减少热耗散。
    应用领域:
    - 电池开关
    - DC/DC转换器
    - 电机驱动
    - LED照明控制

    技术参数


    关键规格:
    - 漏源电压(VDS): 60V
    - 最大漏源电流(ID): 4.0A (TC = 25°C)
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.075Ω (VGS = 10V, ID = 1.9A); 0.086Ω (VGS = 4.5V, ID = 1.7A)
    - 栅源电荷(Qg): 2.1nC (VGS = 4.5V, ID = 1.9A)
    - 工作温度范围: -55°C to 150°C
    性能参数:
    - 最大功率损耗(PD): 1.66W (TC = 25°C)
    - 结到环境的最大热阻(RthJA): 90°C/W (最大)
    - 结到散热片(RthJF): 60°C/W (最大)

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 无卤材料: 符合IEC 61249-2-21标准。
    - 100% Rg测试: 确保栅极电阻可靠性。
    - 100% UIS测试: 确保雪崩能量可靠。
    优势:
    - 高效能: 极低的导通电阻使得在高电流条件下保持较低的功耗。
    - 高速度: 快速开关时间使得它在高频应用中表现出色。
    - 宽工作温度范围: 可在极端环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池开关: 在便携式设备中用于高效电池管理。
    - DC/DC转换器: 提高转换效率,减少热量产生。
    使用建议:
    - 散热设计: 考虑使用散热片或散热风扇以保持器件的结温在安全范围内。
    - 电路布局: 确保良好的电气连接和散热路径以避免热集中点。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品适合各种标准的SOT-23封装,可轻松集成到现有的PCB设计中。
    支持:
    - 供应商提供详细的技术文档和在线支持,帮助客户进行设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 温度过高导致器件失效:
    - 解决方案: 加强散热措施,如使用散热片或改善电路板布局。
    2. 启动时出现不稳定:
    - 解决方案: 确认栅极驱动信号符合规范要求,适当调整驱动电阻值。
    3. 导通电阻增大:
    - 解决方案: 检查工作条件是否在额定范围内,必要时可尝试优化电路设计。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高效的功率转换和极低的导通电阻。
    - 宽泛的工作温度范围和无卤材料。
    - 出色的电气特性和快速的开关时间。
    结论:
    - 推荐使用此N-Channel 60-V MOSFET。其在多种应用中表现出色,特别是在电池管理和DC/DC转换器设计中具有显著优势。

K3408-T2B-A-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3408-T2B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3408-T2B-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3408-T2B-A-VB K3408-T2B-A-VB数据手册

K3408-T2B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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交货地:
最小起订量为:35
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型号 价格(含增值税)
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