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K16A55DA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K16A55DA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K16A55DA4-VB

K16A55DA4-VB概述

    K16A55DA4-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K16A55DA4-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其额定电压为550V,适用于多种应用场合。这款MOSFET因其低电阻、快速开关和高可靠性而受到青睐,在消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接和感应加热、电池充电器以及SMPS等领域有广泛应用。

    技术参数


    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS): 550V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)): 2V至4V
    - 门极-源极漏电流(IGSS): ≤ ±100nA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.26Ω @ 10V
    - 输入电容(Ciss): 3094pF
    - 输出电容(Coss): 152pF
    - 反向传输电容(Crss): 13pF
    - 有效输出电容,能量相关(Co(er)): 131pF
    - 有效输出电容,时间相关(Co(tr)): 189pF
    - 总栅极电荷(Qg): 80nC至150nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 12nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 25nC
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)): 24ns至50ns
    - 上升时间(tr): 31ns至62ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 117ns至176ns
    - 下降时间(tf): 56ns至112ns
    - 门极输入电阻(Rg): 1.8Ω
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 550V
    - 门极-源极电压(VGS): ±20V
    - 最大功率耗散(PD): 60W
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 281mJ
    - 最大连续漏极电流(ID): 18A(@ 25°C,TJ = 150°C)
    - 节点温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    K16A55DA4-VB 具有多项显著特点,使其在众多同类产品中脱颖而出:
    - 低区域特异性导通电阻(Low Area Specific On-Resistance):降低了系统的整体能耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少了寄生损耗,提升了效率。
    - 快速开关(Fast Switching):响应迅速,适合高速应用。
    - 高体二极管坚固性(High Body Diode Ruggedness):具备优异的耐久性,适合苛刻的应用环境。
    - 可重复脉冲雪崩能量额定值(Avalanche Energy Rated (UIS)):能够承受大功率应用中的瞬态冲击。

    应用案例和使用建议


    K16A55DA4-VB 主要应用于消费电子产品如LCD或等离子电视、服务器和电信电源供应系统、工业应用如焊接和感应加热、电池充电器以及SMPS(开关模式电源)等领域。对于这些应用,需要注意如下几点:
    - 在设计电源转换电路时,应合理选择驱动电阻以优化开关时间和效率。
    - 确保散热良好,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 在进行高频应用时,考虑减少寄生电感的影响,以提高系统稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    K16A55DA4-VB 的引脚布局和封装符合标准TO-220 FULLPAK,与其他类似规格的MOSFET具有良好的互换性。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和客户服务热线(400-655-8788),以便用户在使用过程中遇到问题时能够及时得到支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 调整驱动电阻,优化电路设计以降低功耗。
    2. 问题: 额外负载导致电流超过最大值。
    - 解决方案: 使用电流保护装置,确保负载不超过最大额定值。
    3. 问题: 电压波动导致性能不稳定。
    - 解决方案: 添加稳压电路,确保稳定的供电条件。

    总结和推荐


    综上所述,K16A55DA4-VB是一款优秀的N沟道功率MOSFET,凭借其出色的性能参数、低损耗和广泛的应用范围,在多个领域表现出色。其易于集成、稳定性好,且制造商提供了全面的支持和文档,因此非常推荐在高要求的电力转换应用中使用。

K16A55DA4-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 550V
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K16A55DA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K16A55DA4-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K16A55DA4-VB K16A55DA4-VB数据手册

K16A55DA4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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