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85U03GMT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
供应商型号: 85U03GMT-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 85U03GMT-VB

85U03GMT-VB概述

    85U03GMT-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    85U03GMT-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,专为需要高效率和稳定性的应用场景设计。这款产品适用于笔记本电脑核心、VRM/POL(电压调节模块/电源管理)等领域。其独特的TrenchFET® Power MOSFET架构,确保了优异的性能和可靠性。

    技术参数


    以下是85U03GMT-VB的技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | 30 | V |
    | 栅源电压 | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | 120 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 250 | A |
    | 雪崩电流 | 5 | A |
    | 雪崩能量 | 60 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 210 | W |
    | 热阻抗 | 41 | °C/W |
    | 接触温度范围 | -55到175 | °C |
    | 开启电阻 | 0.003 (VGS=10V), 0.005 (VGS=4.5V) | Ω |

    产品特点和优势


    - 高效能:低开启电阻(0.003 Ω @ VGS = 10 V),提高电路效率。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保产品稳定性。
    - 快速开关:快速的开关特性使得电路响应速度更快。
    - 良好的热管理:较低的热阻抗(RthJA = 41 °C/W),保证长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    85U03GMT-VB 可广泛应用于笔记本电脑核心、VRM/POL等。例如,在笔记本电脑中,该MOSFET可以用于实现高效的电源管理和电压转换。使用时应注意散热设计,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    85U03GMT-VB 与多种电路板和电子设备兼容。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户快速集成并解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温下工作不稳定。
    - 解决方法:增加外部散热措施,如散热片或散热风扇。
    - 问题2:电路中MOSFET发热严重。
    - 解决方法:检查电路设计是否有误,适当降低工作频率或使用更好的散热材料。

    总结和推荐


    85U03GMT-VB 在笔记本电脑和其他需要高效率和可靠性的应用中表现出色。其高效的开启电阻、出色的热管理能力和快速的开关性能使其成为市场上的一款优质产品。强烈推荐用于对性能要求较高的应用场景。
    通过上述内容,我们可以看到85U03GMT-VB 在多个方面都有出色的表现。它不仅具有高效率和可靠性,还能够适应各种复杂的应用环境。如果你正在寻找一款高性能的N沟道MOSFET,那么85U03GMT-VB 绝对是一个值得考虑的选择。

85U03GMT-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.79V
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

85U03GMT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

85U03GMT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 85U03GMT-VB 85U03GMT-VB数据手册

85U03GMT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
5000+ ¥ 2.3759
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