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RU5H11P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: RU5H11P-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RU5H11P-VB

RU5H11P-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    RU5H11P 是一款 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效开关和功率转换应用。该器件具有较低的导通电阻和电荷损耗,适用于多种电源管理和照明应用。
    主要功能
    - 低损耗特性:低导通电阻 (RDS(on)) 和低门极电荷 (Qg),有效减少导通和开关损耗。
    - 高可靠性:经过严格的测试和验证,能够在极端环境下稳定工作。
    - 高效开关:支持快速开关速度,减少热耗散。
    应用领域
    - 服务器和电信电源:为服务器、交换机和路由器提供高效的电源解决方案。
    - 开关模式电源 (SMPS):广泛应用于各类电源适配器和开关电源中。
    - 功率因数校正 (PFC):确保电源系统的输入电流与电压同相位,提高系统效率。
    - 照明:用于高强度放电灯 (HID) 和荧光灯照明系统。
    - 工业应用:适用于各种工业控制和驱动设备。

    技术参数


    静态参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 门极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 反向电压下的漏电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | - | - | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | - | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | - | - | ns |
    | 关断时间 | tf | - | - | - | ns |
    | 反向恢复时间 | trr | - | - | 190 | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 2.3 | μC |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | - | 650 | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ± 30 V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 35 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 97 | mJ |

    产品特点和优势


    RU5H11P MOSFET 在多个方面展示了其独特的功能和优势,使其成为电力管理应用中的理想选择:
    - 低功耗:通过低导通电阻和低门极电荷特性,实现高效的开关性能。
    - 高可靠性和耐用性:在极端温度下仍能保持稳定的性能。
    - 卓越的散热性能:具备优良的热阻特性,能够快速散热,延长使用寿命。
    - 高集成度:提供全封装(FULLPAK)版本,便于安装和应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源供应器:用于大型数据中心的电源管理系统,提供高效的电源转换。
    - 照明系统:应用于高强度放电灯 (HID) 和荧光灯系统,实现高效照明。
    - 工业控制系统:在自动化生产线中用于电机驱动和其他负载控制。
    使用建议
    - 电路布局优化:减少寄生电感,采用地平面设计,降低电磁干扰。
    - 合适的驱动电路:使用低速驱动器以减少电磁噪声。
    - 过温保护:安装适当的散热装置,确保工作温度不超过额定值。

    兼容性和支持


    RU5H11P MOSFET 与多数标准电源系统和驱动电路兼容,适用于多种不同类型的电路设计。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和问题解答。如有疑问或技术支持需求,可联系客户服务中心。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    1. 问:漏极电流 (ID) 是否过大?
    - 答:检查电路是否正确连接,确认驱动器是否合适。必要时可考虑更换更大额定值的 MOSFET。

    2. 问:电路运行过程中发热严重?
    - 答:检查散热片安装是否正确,是否有足够的空气流动进行散热。也可以考虑更换散热效果更好的器件。

    3. 问:开关频率不稳定?
    - 答:调整驱动电路的配置参数,确保驱动信号的稳定性和一致性。

    总结和推荐


    RU5H11P MOSFET 在低功耗、高效开关、高可靠性等方面表现优异,特别适合于服务器电源、通信设备电源、照明系统和工业控制等应用领域。其出色的性能使其在市场上具备较高的竞争力。综合上述特点和优势,强烈推荐此产品用于相关应用场合。如果您正在寻找一款可靠的电力转换解决方案,RU5H11P 将是您的理想选择。

RU5H11P-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RU5H11P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RU5H11P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RU5H11P-VB RU5H11P-VB数据手册

RU5H11P-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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