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TF3N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: TF3N50-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TF3N50-VB

TF3N50-VB概述

    TF3N50 N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    TF3N50 是一款适用于多种工业和消费类电子设备的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要功能是作为开关元件,在高电压和高频应用中表现出色。这种器件广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、以及各类逆变器和转换器等场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 2.5Ω
    - 总栅极电荷 (Qg(Max)):最大 48nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):19nC
    - 封装形式:TO-220 Fullpak
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 时为 3.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):18A
    - 雪崩耐受能力:单脉冲雪崩能量可达 325mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:降低了驱动要求,简化了设计复杂度。
    - 增强型栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性:提高了器件的鲁棒性和可靠性。
    - 全面的电容和雪崩特性:确保了精确的电气特性和操作稳定性。
    - 符合 RoHS 规范:满足环保标准,减少对环境的影响。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:电源管理、电机驱动、照明系统、逆变器等。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 使用合适的栅极驱动电路,以降低栅极电荷的影响。
    - 在设计 PCB 布局时,注意降低杂散电感,提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这款 MOSFET 具有较强的兼容性,可以与大多数标准电子设备和控制器一起使用。
    - 支持与维护:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:长时间工作后过热
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用散热片或风扇增强冷却效果。
    - 问题 2:驱动信号不稳定
    - 解决方案:优化驱动电路设计,增加稳压电容以稳定信号。

    7. 总结和推荐


    TF3N50 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备优异的电气特性和广泛的适用范围。其低栅极电荷和增强型耐久性使其成为众多应用场合的理想选择。对于需要高效能、高可靠性的电子设备制造商而言,TF3N50 不失为一个明智的选择。

TF3N50-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TF3N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TF3N50-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TF3N50-VB TF3N50-VB数据手册

TF3N50-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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