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K2299N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K2299N-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2299N-VB

K2299N-VB概述

    K2299N-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K2299N-VB 是一款 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理应用中。其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)使其成为高效能功率转换器的理想选择。这款器件广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应系统以及照明设备(如高强度放电灯(HID) 和荧光灯)等领域。

    技术参数


    以下是 K2299N-VB 的关键技术参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2 V 至 4 V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):1 μA @ 650 V,0 V,125 °C
    - 导通电阻(RDS(on)):10 V 时 4.0 Ω @ 25 °C,10 V 时 4.5 Ω @ 150 °C
    - 输入电容(Ciss):最大 35 pF
    - 输出电容(Coss):最大 57 pF
    - 反向传输电容(Crss):最大 40 pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大 18 nC @ 10 V,4 A,520 V
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):± 10 A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):88 mJ
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    K2299N-VB 的显著特点是其低导通电阻和低栅极电荷,这使得它具有以下优势:
    - 低损耗:由于低 RDS(on) 和低 Qg,开关和传导损耗大幅减少。
    - 高可靠性:重复性测试保证了产品的稳定性和耐用性。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境中正常工作。
    - 高效的热设计:最大结点到环境的热阻为 63 °C/W。

    应用案例和使用建议


    K2299N-VB 在多个应用场景中表现出色:
    - 服务器和电信电源供应系统:用于高压直流母线调节,提高系统效率。
    - 开关模式电源(SMPS):适用于需高频切换的应用,如消费电子产品充电器。
    - 工业应用:可用于电动工具和电机驱动系统中。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑采用热沉以优化散热效果。
    - 适当调整栅极驱动电阻(Rg)以优化开关时间。
    - 确保栅极驱动信号有足够的驱动能力,避免振铃现象。

    兼容性和支持


    K2299N-VB 与大多数标准的电源管理系统兼容,可广泛应用于多种场合。厂商提供详细的技术支持和维护服务,客户可通过服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免过高的热应力导致器件损坏?
    - 解决方案:确保良好的热设计,使用合适的热沉和散热片,并保持合理的散热路径。

    - 问题:栅极驱动电压过高会损坏器件吗?
    - 解决方案:始终确保栅极驱动电压不超过 ±30 V,并尽量使用符合规格的驱动器以防止电压过冲。

    总结和推荐


    K2299N-VB 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET,具备出色的导通特性和高效的开关性能。它特别适合需要低损耗和高可靠性的应用。总体而言,K2299N-VB 无论是从技术规格还是市场表现来看,都是一款值得推荐的产品。如果您需要高性能的功率管理解决方案,K2299N-VB 将是一个不错的选择。

K2299N-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2299N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2299N-VB数据手册

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K2299N-VB封装设计

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