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IRFB4110GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: IRFB4110GPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4110GPBF-VB

IRFB4110GPBF-VB概述

    IRFB4110GPBF-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRFB4110GPBF-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的电气特性和广泛的应用范围。这款MOSFET在高温环境下表现出色,其最大结温可达175°C,特别适合于需要高可靠性的工业应用和汽车电子领域。

    技术参数


    以下是IRFB4110GPBF-VB的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS): 100 V
    - 连续漏极电流 (ID): 100 A (TJ = 150 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 300 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280 mJ
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.6 °C/W
    - 结到环境热阻 (RthJA): 40 °C/W (TO-263),62.5 °C/W (TO-220AB)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2 V ~ 4 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 30 A: 0.009 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 20 A: 0.020 Ω

    产品特点和优势


    IRFB4110GPBF-VB 具有以下显著特点和优势:
    1. 耐高温特性:能够在高达175°C的环境中稳定工作,适用于恶劣环境下的工业和汽车电子应用。
    2. 低导通电阻:提供非常低的导通电阻,降低了功耗并提高了效率。
    3. 高雪崩耐受能力:具备良好的雪崩耐受能力,能够承受大电流冲击而不损坏。
    4. 兼容RoHS标准:符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    IRFB4110GPBF-VB 广泛应用于各类电源管理和电动驱动系统中。例如,在直流-直流转换器、电机驱动器和开关电源中发挥重要作用。以下是一些使用建议:
    1. 散热设计:确保使用合适的散热器来降低温度,尤其是在高电流应用中。
    2. 驱动电路设计:选择合适的栅极驱动器以优化开关性能。
    3. 布局考虑:合理的PCB布局可以提高电气性能和散热效果。

    兼容性和支持


    IRFB4110GPBF-VB 可以与其他常见的TO-220AB封装的电子元器件兼容。制造商提供了详尽的技术支持和文档,帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,客户可以通过官方服务热线400-655-8788获取更多支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确使用散热器?
    - 解决方案:使用适当尺寸和材质的散热器,并确保良好的接触面以有效散热。

    2. 问题:为什么电流会超出额定值?
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压和电流在合理范围内。增加外部散热措施以减少结温。
    3. 问题:如何测试产品的雪崩耐受能力?
    - 解决方案:在实验室中模拟可能的最大电流冲击,通过专业的测试仪器进行测量。

    总结和推荐


    总体而言,IRFB4110GPBF-VB 是一款高性能的N-Channel MOSFET,适用于要求严格的工作环境。其优异的电气特性和可靠性使其在多种应用场合中表现出色。我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性和高效能的电源管理和电机控制领域。
    希望上述信息对您有所帮助。如果您有任何进一步的问题或需要技术支持,请随时联系我们。

IRFB4110GPBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB4110GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4110GPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB4110GPBF-VB IRFB4110GPBF-VB数据手册

IRFB4110GPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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